[實用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220539902.9 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN202905721U | 公開(公告)日: | 2013-04-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉翔;王剛 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置。?
背景技術(shù)
在顯示技術(shù)領(lǐng)域,平板顯示裝置,如液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display,LCD)和有機電致發(fā)光顯示器(Organic?Light?Emitting?Display,OLED),因其輕、薄、低功耗、高亮度,以及高畫質(zhì)等優(yōu)點,在平板顯示領(lǐng)域占據(jù)重要的地位。?
尤其是高分辨率及高畫質(zhì)的平板顯示裝置受人們青睞。目前,圖像信號的延遲成為制約高分辨率及高畫質(zhì)平板顯示裝置的關(guān)鍵因素之一。具體地,圖像信號的延遲主要由陣列基板上的柵極和柵極線決定的信號電阻和相關(guān)電容決定。在柵極掃描線打開時,像素充電,由于圖像信號的延遲,某些像素充電不充分,導(dǎo)致圖像顯示畫面的亮度不均勻,嚴重影響圖像的顯示質(zhì)量。降低柵極和柵極線的電阻可以減小圖像信號的延遲,改善圖像的畫質(zhì)。?
目前,降低柵極和柵極線的電阻的方法為:采用電阻較低的金屬Cu制作柵極和掃描線(也即柵極線)。但是存在以下缺點:?
Cu金屬易擴散,很容易擴散到柵極保護層、半導(dǎo)體層、或鈍化層中,嚴重地影響了薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor,TFT)的性能。現(xiàn)有在沉積Cu金屬柵極和柵極線薄膜之前先沉積一層絕緣阻擋層,阻止Cu離子向柵極絕緣層和半導(dǎo)體層擴散,但在后續(xù)加熱工藝中,Cu離子的活性增加,可以穿越絕緣阻擋層滲透到半導(dǎo)體層,嚴重影響TFT性能,使得圖像的畫質(zhì)更差,甚至破壞TFT的正常工作。?
現(xiàn)有陣列基板上的TFT以及制作方法會引起TFT性能下降,圖像畫質(zhì)較差的問題。?
實用新型內(nèi)容
本實用新型實施例提供一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置,用以提高TFT的性能,提高圖像的畫質(zhì)。?
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型實施例提供的薄膜晶體管,包括:?
基板、形成在所述基板上的柵極、源極、漏極、半導(dǎo)體層和半導(dǎo)體層保護層;以及?
形成在所述基板上位于所述柵極和半導(dǎo)體層之間的第一柵極保護層,和位于所述第一柵極保護層和所述半導(dǎo)體層之間的柵極隔離層;半導(dǎo)體層保護層位于半導(dǎo)體層與源極和漏極之間。?
較佳地,所述柵極隔離層在基板上的垂直投影與所述柵極在基板上的垂直投影重疊。?
較佳地,所述柵極隔離層為導(dǎo)電層。?
較佳地,所述薄膜晶體管還包括:第二柵極保護層,所述第二柵極保護層位于所述柵極隔離層和半導(dǎo)體層之間。?
較佳地,所述柵極位于所述基板上;?
所述第一柵極保護層位于所述柵極上;?
所述柵極隔離層位于所述第一柵極保護層上;?
所述第二柵極保護層位于所述柵極隔離層上;?
所述半導(dǎo)體層位于所述第二柵極保護層上;?
所述半導(dǎo)體層保護層位于所述半導(dǎo)體層上;?
所述源極和漏極位于所述半導(dǎo)體層保護層上。?
較佳地,所述源極和漏極位于所述基板上;?
所述半導(dǎo)體層保護層位于所述源極和漏極上;?
所述半導(dǎo)體層位于所述半導(dǎo)體層保護層上;?
所述第二柵極保護層位于所述半導(dǎo)體層上;?
所述柵極隔離層位于所述第二柵極保護層上;?
所述第一柵極保護層位于所述柵極隔離層上;?
所述柵極位于所述第一柵極保護層上。?
較佳地,所述薄膜晶體管還包括:緩沖層,所述緩沖層位于所述基板上待形成薄膜晶體管各膜層的一側(cè)。?
較佳地,所述薄膜晶體管還包括:鈍化層,所述鈍化層位于所述源極和漏極上。?
較佳地,所述薄膜晶體管還包括:鈍化層,所述鈍化層位于所述柵極上。?
較佳地,所述第二柵極保護層的厚度小于第一柵極保護層的厚度。?
本實用新型實施例提供一種陣列基板,包括上述薄膜晶體管。?
較佳地,所述陣列基板還包括:像素電極;所述像素電極與所述柵極隔離層同層設(shè)置,且通過過孔與所述漏極相連。?
本實用新型實施例提供一種顯示裝置,包括所述陣列基板。?
實用新型本實用新型實施例提供的薄膜晶體管,柵極和半導(dǎo)體層之間設(shè)置有第一柵極保護層和柵極隔離層,由金屬形成的柵極,金屬離子被柵極隔離層阻擋,不會進入半導(dǎo)體層,半導(dǎo)體層的性能不會受到影響,并且,由金屬制作而成的柵極電阻較小,圖像信號延遲較小,圖像畫質(zhì)較高。?
附圖說明
圖1為本實用新型第一實施例提供的底柵型陣列基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖;?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





