[實用新型]一種薄膜晶體管、陣列基板和顯示裝置有效
| 申請號： | 201220539902.9 | 申請日： | 2012-10-19 |
| 公開（公告）號： | CN202905721U | 公開（公告）日： | 2013-04-24 |
| 發明（設計）人： | 劉翔;王剛 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 薄膜晶體管 陣列 顯示裝置 | ||
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：
基板、形成在所述基板上的柵極、源極、漏極、半導體層和半導體層保護層；以及
形成在所述基板上位于所述柵極和半導體層之間的第一柵極保護層，和位于所述第一柵極保護層和所述半導體層之間的柵極隔離層；半導體層保護層位于半導體層與源極和漏極之間。
2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極隔離層在基板上的垂直投影與所述柵極在基板上的垂直投影重疊。
3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極隔離層為導電層。
4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：第二柵極保護層，所述第二柵極保護層位于所述柵極隔離層和半導體層之間。
5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，
所述柵極位于所述基板上；
所述第一柵極保護層位于所述柵極上；
所述柵極隔離層位于所述第一柵極保護層上；
所述第二柵極保護層位于所述柵極隔離層上；
所述半導體層位于所述第二柵極保護層上；
所述半導體層保護層位于所述半導體層上；
所述源極和漏極位于所述半導體層保護層上。
6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，
所述源極和漏極位于所述基板上；
所述半導體層保護層位于所述源極和漏極上；
所述半導體層位于所述半導體層保護層上；
所述第二柵極保護層位于所述半導體層上；
所述柵極隔離層位于所述第二柵極保護層上；
所述第一柵極保護層位于所述柵極隔離層上；
所述柵極位于所述第一柵極保護層上。
7.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：緩沖層，所述緩沖層位于所述基板上待形成薄膜晶體管各膜層的一側。
8.根據權利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：鈍化層，所述鈍化層位于所述源極和漏極上。
9.根據權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：鈍化層，所述鈍化層位于所述柵極上。
10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極保護層的厚度小于第一柵極保護層的厚度。
11.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1至10任一權項所述的薄膜晶體管。
12.根據權利要求11所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括：像素電極；所述像素電極與所述柵極隔離層同層設置，且通過過孔與所述漏極相連。
13.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求11或12所述的陣列基板。
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