[實用新型]封裝基板及半導體元件的封裝結構有效
| 申請號: | 201220539645.9 | 申請日: | 2012-10-19 |
| 公開(公告)號: | CN202948918U | 公開(公告)日: | 2013-05-22 |
| 發明(設計)人: | 林少雄;周輝星 | 申請(專利權)人: | 先進封裝技術私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 半導體 元件 結構 | ||
1.一種封裝基板,其特征在于,該封裝基板包括:
介電層,具有上表面以及下表面;
第一導電層,內埋于該介電層中,并顯露一第一表面于該介電層的上表面,該第一表面切齊該介電層的上表面或內凹于該介電層的上表面;以及
第二導電層,內埋于該介電層中與該第一導電層接觸,并顯露一第二表面于該介電層的下表面,該第二表面切齊于該介電層的下表面或內凹于該介電層的下表面。
2.如權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,該封裝基板還包括一接合墊,配置于該第一導電層的第一表面上或內埋于該第一導電層中。
3.如權利要求2所述的封裝基板,其特征在于,當該第一導電層的第一表面內凹于該介電層的上表面時,該接合墊部分地或全部地內埋于該介電層中,以使該接合墊的相對兩側單獨被該介電層的側壁限制于一凹穴內。
4.如權利要求2所述的封裝基板,其特征在于,當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時,該接合墊部分地或全部地內埋于該第一導電層與該介電層中,以使該接合墊的周圍同時被該第一導電層與該介電層的側壁限制于該凹穴內。
5.如權利要求2所述的封裝基板,其特征在于,當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時,該接合墊配置于該第一導電層的第一表面上。
6.如權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,該封裝基板還包括一環形補強結構,連接于該介電層的周圍,該環形補強結構環繞該介電層的該上表面,并顯露該第一導電層的該第一表面于該環形補強結構的一開口中。
7.如權利要求6所述的封裝基板,其特征在于,該環形補強結構具有一定位孔。
8.如權利要求1所述的封裝基板,其特征在于,該封裝基板還包括一焊接層,覆蓋該第二導電層的該第二表面。
9.一種半導體元件的封裝結構,包括:封裝基板及半導體元件,該半導體元件,配置于該封裝基板上,該半導體元件具有一導電凸塊,該導電凸塊支撐于該半導體元件與該封裝基板之間,其特征在于:該封裝基板包括:
介電層,具有一上表面以及一下表面;
第一導電層,內埋于該介電層中,并顯露一第一表面于該介電層的上表面,該第一表面切齊該介電層的上表面或內凹于該介電層的上表面;
第二導電層,內埋于該介電層中與該第一導電層接觸,并顯露一第二表面于該介電層的下表面,該第二表面切齊于該介電層的下表面或內凹于該介電層的下表面。
10.如權利要求9所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,該導電凸塊連接該第一導電層。
11.如權利要求9所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,該封裝基板還包括一接合墊,配置于該第一導電層的第一表面上或內埋于該第一導電層中。
12.如權利要求11所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,該電性接點連接該接合墊。
13.如權利要求11所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,當該第一導電層的第一表面內凹于該介電層的上表面時,該接合墊部分地或全部地內埋于該介電層中,以使該接合墊的相對兩側單獨被該介電層的側壁限制于一凹穴內。
14.如權利要求11所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時,該接合墊部分地或全部地內埋于該第一導電層與該介電層中,以使該接合墊的周圍同時被該第一導電層與該介電層的側壁限制于該一凹穴內。
15.如權利要求11所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時,該接合墊配置于該第一導電層的第一表面上。
16.如權利要求10所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,該導電凸塊包括銅柱和焊料點。
17.如權利要求9所述的半導體元件的封裝結構,其特征在于,該封裝結構還包括:
焊接層,覆蓋該第二導電層的該第二表面;以及
焊球,形成于該焊接層上。
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