[實用新型]封裝基板及半導體元件的封裝結構

有效

• 申請號: 201220539645.9
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN202948918U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 林少雄;周輝星
• 申請（專利權）人: 先進封裝技術私人有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

技術領域

本實用新型涉及一種封裝結構，且特別是涉及一種封裝基板及半導體元件的封裝結構及其制作工藝。

背景技術

隨著電子產品的普遍應用于日常生活中，半導體元件需求量與日遽增。由于半導體元件走向輕薄化的設計，當半導體元件尺寸縮小時，I/O腳數不減反增，使得線路間距與線路寬度縮小化，并朝微小間距（fine?pitch）的設計發展，例如50μm間距，甚至35μm以下間距。

然而，在半導體元件倒裝組裝于封裝基板的過程中，常會因焊錫高溫回焊，而使兩相鄰的導電凸塊間發生橋接(bridging)短路的現象。此外，焊錫因無防焊層覆蓋在線路層上，以限制其流動，使得焊錫高溫回焊時，容易沿著線路層向外擴散（overspreading），造成倒裝后的半導體元件與封裝基板間的高度減少，且因高度減少而難以將底膠層填入于半導體元件與封裝基板之間，造成封裝的可靠度下降等問題。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種封裝基板及半導體元件的封裝結構，可在符合微小間距的設計下，提高半導體元件的封裝可靠度。

為達上述目的，本實用新型提出一種封裝基板，包括一介電層、一第一導電層以及一第二導電層。介電層具有一上表面以及一下表面。第一導電層內埋于介電層中，并顯露一第一表面于上表面。第一表面切齊上表面或內凹于上表面。第二導電層內埋于介電層中與第一導電層接觸，并顯露一第二表面于下表面。第二表面切齊于下表面或內凹于下表面。

該封裝基板還包括一接合墊，配置于該第一導電層的第一表面上或內埋于該第一導電層中。

當該第一導電層的第一表面內凹于該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該介電層中，以使該接合墊的相對兩側單獨被該介電層的側壁限制于一凹穴內。

當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該第一導電層與該介電層中，以使該接合墊的周圍同時被該第一導電層與該介電層的側壁限制于該凹穴內。

當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊配置于該第一導電層的第一表面上。

該封裝基板還包括一環形補強結構，連接于該介電層的周圍，該環形補強結構環繞該介電層的該上表面，并顯露該第一導電層的該第一表面于該環形補強結構的一開口中。

該環形補強結構具有一定位孔。

該封裝基板還包括一焊接層，覆蓋該第二導電層的該第二表面。

本實用新型還提供一種半導體元件的封裝結構，其包括：封裝基板及半導體元件，該半導體元件，配置于該封裝基板上，該半導體元件具有一導電凸塊，該導電凸塊支撐于該半導體元件與該封裝基板之間，該封裝基板包括：

介電層，具有一上表面以及一下表面；

第一導電層，內埋于該介電層中，并顯露一第一表面于該介電層的上表面，該第一表面切齊該介電層的上表面或內凹于該介電層的上表面；

第二導電層，內埋于該介電層中與該第一導電層接觸，并顯露一第二表面于該介電層的下表面，該第二表面切齊于該介電層的下表面或內凹于該介電層的下表面。

該導電凸塊連接該第一導電層。

該封裝基板還包括一接合墊，配置于該第一導電層的第一表面上或內埋于該第一導電層中。

該電性接點連接該接合墊。

當該第一導電層的第一表面內凹于該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該介電層中，以使該接合墊的相對兩側單獨被該介電層的側壁限制于一凹穴內。

當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊部分地或全部地內埋于該第一導電層與該介電層中，以使該接合墊的周圍同時被該第一導電層與該介電層的側壁限制于該一凹穴內。

當該第一導電層的第一表面切齊該介電層的上表面時，該接合墊配置于該第一導電層的第一表面上。

該導電凸塊包括銅柱和焊料點。

該封裝結構還包括：焊接層，覆蓋該第二導電層的該第二表面；以及焊球，形成于該焊接層上。

根據本實用新型的另一方面，提出一種半導體元件的封裝結構，包括一封裝基板、一半導體元件、一底膠層以及一封膠層。封裝基板包括一介電層、一第一導電層以及一第二導電層。介電層具有一上表面以及一下表面。第一導電層內埋于介電層中，并顯露一第一表面于上表面。第一表面切齊上表面或內凹于上表面。第二導電層內埋于介電層中與第一導電層接觸，并顯露一第二表面于下表面。第二表面切齊于下表面或內凹于下表面。半導體元件配置于封裝基板上，半導體元件具有一導電凸塊。導電凸塊支撐于半導體元件與封裝基板之間。