[實用新型]用于掩膜板的防塵保護裝置有效
| 申請號: | 201220521265.2 | 申請日: | 2012-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN202794842U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 覃柳莎;張力群 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/64 | 分類號: | G03F1/64 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 掩膜板 防塵 保護裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路制造領域,尤其涉及一種用于掩膜板的防塵保護裝置。
背景技術
在半導體集成電路制造工藝中,光刻工藝是其中最為重要的步驟之一。光刻工藝的過程是經曝光系統將預制在掩模板上的器件或電路圖形按所要求的位置,精確傳遞到預涂在晶片表面或介質層上的光刻膠層上。經過顯影工藝去除或保留曝光圖案部位的光刻膠,以達到將預制在掩模板上的器件或電路圖形在晶片表面或介質層上精確成型的目的。光刻工藝的好壞將直接影響半導體器件的特征尺寸和產品品質,其中,掩膜板是光刻復制圖形的基準和藍本,掩膜板上的任何缺陷都會對最終圖形精度產生嚴重的影響。
參考1A和圖1B,圖1A為現有的用于掩膜板的防塵保護裝置的結構示意圖,圖1B為現有的用于掩膜板的防塵保護裝置的剖面結構示意圖。所述掩膜板115具有圖案區域,用于掩膜板115的防塵保護裝置包括:框架113和保護薄膜111,所述保護薄膜111被緊繃在所述框架112上,所述保護薄膜111需光學透明且結實,通常采用硝化纖維或者醋酸纖維素制成。所述框架112環繞掩膜板邊沿,所述保護薄膜111和所述框架112限定的空間覆蓋所述圖案區域,以將所述圖案區域密封,保護掩膜板115上的圖案區域不受塵粒或其它形式的污染,并且沾在保護薄膜111上的污染物與圖案區域表面保持足夠遠的距離,在成像時,污染物的像平面不落在晶片表面上,減小污染物對生產的影響。
然而,在實際生產中發現,由于保護薄膜111被緊繃在所述框架112上,在保護薄膜面上有張力的存在,對框架112產生作用力,并傳遞到掩膜板115上,掩膜板115會因此產生微小形變,導致圖案區域偏離預定的位置,最終影響復制到晶片上的圖案的效果。
實用新型內容
本實用新型提供一種用于掩膜板的防塵保護裝置,以解決保護薄膜產生的張力使掩膜板產生形變影響影響復制到晶片上的圖案的效果的問題。
為解決上述問題,本實用新型提供一種用于掩膜板的防塵保護裝置,所述掩膜板具有圖案區域,所述用于掩膜板的防塵保護裝置包括保護薄膜以及用于固定所述保護薄膜的框架,所述保護薄膜和所述框架限定的空間覆蓋所述圖案區域,所述框架包括多個首尾相連的長條狀邊框,其中至少一個邊框沿其長度方向上設置有孔洞。
可選的,所述邊框為單層結構。
可選的,所述邊框為多層結構,每層結構沿其長度方向均設置有孔洞。
可選的,其特征在于,所述邊框的寬度沿所述掩膜板的厚度方向變化。
可選的,所述孔洞的寬度沿所述掩膜板的厚度方向變化。
可選的,所述孔洞的寬度的變化趨勢與所述邊框的寬度的變化趨勢一致。
可選的,所述孔洞的寬度的變化趨勢與所述邊框的寬度的變化趨勢不一致。
可選的,所述邊框的多層結構是同種材質。
可選的,所述邊框的多層結構是不同種材質。
可選的,所述邊框、所述掩膜板和所述保護薄膜之間粘合連接。
與現有技術相比,本實用新型提供的用于掩膜板的防塵保護裝置,由于其中至少一個邊框沿該其長度方向上設置有孔洞,該邊框易產生形變吸收部分保護薄膜的張力,使掩膜板受到的張力變小,從而減小或消除掩膜板的形變。更優選的,將邊框和孔洞設計成寬度沿所述掩膜板的厚度方向變化的,有更好的形變能力,能吸收更多的張力,進一步提高曝光效果。
附圖說明
圖1A為現有的用于掩膜板的防塵保護裝置立體結構示意圖;
圖1B為沿圖1A的AA’方向的剖面結構示意圖;
圖2A為本實用新型實施例一的用于掩膜板的防塵保護裝置的立體結構示意圖;
圖2B為沿圖2A的AA’方向的剖面示意圖;
圖3為本實用新型實施例二的用于掩膜板的防塵保護裝置的剖面示意圖;
圖4為本實用新型實施例三的用于掩膜板的防塵保護裝置的剖面示意圖;
圖5為本實用新型實施例四的用于掩膜板的防塵保護裝置的剖面示意圖。
具體實施方式
本實用新型的核心思想在于,提供一種用于掩膜板的防塵保護裝置,所述掩膜板具有圖案區域,所述用于掩膜板的防塵保護裝置包括保護薄膜以及用于固定所述保護薄膜的框架,所述保護薄膜和所述框架限定的空間覆蓋所述圖案區域,所述框架包括多個首尾相連的長條狀邊框,其中至少一個邊框沿其長度方向設置有孔洞。由于這樣的框架結構易產生形變,能夠吸收所述保護薄膜產生的張力,從而能減小或消除掩膜板的形變,防止掩膜板形變對復制到晶片上的圖案的效果產生影響。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





