[實用新型]一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220510663.4
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN202975590U
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蔡恩靜
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及微電子領(lǐng)域，尤其涉及一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。?

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體的快速發(fā)展，55nm制程及以下工藝，業(yè)界均勻采用浸沒式（immersion）光刻機(jī)。由于immersion光刻機(jī)在曝光時會用純水以提高分辨率，而使用純水曝光時會引入更多的粒子（particles），其來源主要在硅片邊緣時硅片背面的particles。?

這是由于曝光時的particles來源主要是曝光在硅片邊緣時引入的，曝光時引入的particle主要是曝光到硅片的邊緣（wafer?edge）時，由于純水會擴(kuò)散到wafer背面；由于通常wafer背面是particle的主要來源，因此該particle會被純水帶到wafer正面而影響曝光質(zhì)量。?

如圖1中所示，圖1中包括一硅片1，該硅片包括多個晶圓（wafer）2，傳統(tǒng)掃描路徑結(jié)構(gòu)是從wafer頂部以“S”型曝光，但該掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)由于過早曝光到wafer?edge位子，從而引入particle，這樣會引起再接下來的曝光過程中一直受到particle的影響從而使得第一排一下的dies均受到純水中particles的影響，使得wafer因曝光問題引起產(chǎn)品良率低下。?

實用新型內(nèi)容

針對上述存在的問題，本實用新型的目的是提供一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)。該硅片中的晶圓分為兩個區(qū)域，并且該兩個區(qū)域為螺旋掃描工作路徑結(jié)構(gòu)，以確?保硅片的絕大部分位置免受particles影響，以達(dá)到曝光質(zhì)量從而提升產(chǎn)品良率。?

本實用新型的目的是通過下述技術(shù)方案實現(xiàn)的：?

一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，包括：硅片，所述硅片置于浸沒式光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，其特征在于，所述硅片包括多個晶圓，所述多個晶圓還包括底部抗反射層和光刻膠；所述多個晶圓包括中心掃描路徑區(qū)域的晶圓和外圍掃描路徑區(qū)域的晶圓，所述中心掃描路徑區(qū)域和所述外圍掃描路徑區(qū)域均為螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。?

上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述硅片和所述曝光鏡頭之間充滿了液體。?

上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述液體為純水。?

上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，在所述光刻膠的表面還包括頂部涂層。?

上述的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)，其中，所述中心掃描路徑區(qū)域為逆時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)，所述外圍掃描路徑區(qū)域為順時針螺旋掃描路徑結(jié)構(gòu)。?

與已有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果在于：?

將硅片上的晶圓劃分成兩個掃描路徑區(qū)域，且將該兩個掃描路徑區(qū)域設(shè)定為螺旋掃描工作結(jié)構(gòu)，從而可以實現(xiàn)對硅片上的晶圓依次進(jìn)行曝光，通過該方式，避免了由于過早曝光到wafer?edge位子，從而引入particles，使得其它晶圓受到污染進(jìn)而影響到以后的曝光過程。?

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑工作結(jié)構(gòu)的示意圖。?

圖2是本實用新型的一個實施例中的一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)的示意圖。?

具體實施方式

下面結(jié)合原理圖和具體操作實施例對本實用新型作進(jìn)一步說明。?

參看圖2中所示，本實用新型的一種提供浸沒式光刻機(jī)掃描路徑的工作結(jié)構(gòu)具體包括：?

硅片1，所述硅片包括多個晶圓2，在硅片1的襯底表面包括底部抗反射層（圖中未標(biāo)示）、光刻膠（圖中未標(biāo)示）；為了防止浸沒式光刻膠的揮發(fā)物對光刻機(jī)鏡頭損傷，還可以在所述光刻膠的表面還包括一層頂部涂層（圖中未標(biāo)示），該頂部涂層是可以完全溶解在顯影液體中的疏水涂層。頂部涂層還可以是一層頂部抗反射涂層（TARC），其被涂布在光刻膠的表面的，用于減少光的反射的物質(zhì)。?

將硅片1置于光刻機(jī)的晶圓掃描工作臺上，并利用Chuck（卡盤），對硅片1進(jìn)行真空吸附，在曝光過程中，將硅片1置于光刻機(jī)的曝光鏡頭下方，在硅片1和曝光鏡頭之間充滿了液體，最佳地，該液體是純水，純水可以減小對光刻膠穩(wěn)定性影響的同時，增大鏡頭的數(shù)值孔徑，從而很好地實現(xiàn)光刻效果。?

在曝光前，對光刻機(jī)的掃描路徑進(jìn)行劃分，將硅片1上的晶圓劃分為中心掃描路徑區(qū)域21和外圍掃描路徑區(qū)域22，在本實用新型的一個實施例中，將該中心掃描路徑區(qū)域21中的中心位置定義為掃描的起始位置，以螺旋方式進(jìn)行掃描，并且外圍掃描路徑區(qū)域22也以螺旋方式進(jìn)行掃描直至到硅片的邊緣。?