[實用新型]一種差分電流采樣電路

有效

• 申請號: 201220504691.5
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN202794304U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 王紀云;王曉娟;周曉東
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: G01R19/00
• 分類號: G01R19/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種差分電流采樣電路，包括采樣電流輸入端（Io）、電壓輸出端（Vo）和控制脈沖輸入端（MPG），其特征在于，還包括一只電阻（R1）、四只PMOS晶體管（P1～P4）和四只NMOS晶體管（N1～N4）；

采樣電流輸入端（Io）連接至第二NMOS晶體管（N2）的漏極；電壓輸出端（Vo）連接至第一NMOS晶體管（N1）的源極；控制脈沖輸入端（MPG）連接至第一NMOS晶體管（N1）的柵極；

所述第一PMOS晶體管（P1）的源極連接至電壓源（VCC），漏極連接至第三NMOS晶體管（N3）的漏極，柵極連接至第二PMOS晶體管（P2）的柵極、第四PMOS晶體管（P4）的漏極、通過第電阻（R1）連接至第四NMOS晶體管的漏極；所述第二PMOS晶體管（P2）的源極連接至電壓源（VCC），漏極連接至第一NMOS晶體管（N1）的漏極和第四PMOS晶體管（P4）的源極；所述第三PMOS晶體管（P3）的柵極連接至第四PMOS晶體管（P4）的柵極和第四NMOS晶體管（N4）的漏極，漏極連接至第二NMOS晶體管（N2）的柵極、第四NMOS晶體管（N4）的柵極、第三NMOS晶體管（N3）的柵極和漏極；所述第二NMOS晶體管（N2）的源極、第三NMOS晶體管（N3）的源極和第四NMOS晶體管（N4）的源極均接地（GND）。

2.根據權利要求1所述的差分電流采樣電路，其特征在于，所述第一PMOS晶體管（P1）、第二PMOS晶體管（P2）、第三PMOS晶體管（P3）和第四PMOS晶體管（P4）為參數相同的PMOS晶體管。

3.根據權利要求1所述的差分電流采樣電路，其特征在于，所述第一NMOS晶體管（N1）、第二NMOS晶體管（N2）、第三NMOS晶體管（N3）和第四NMOS晶體管（N4）為參數相同的NMOS晶體管。