[實用新型]一種功率模塊

有效

• 申請號: 201220486466.3
• 申請日: 2012-09-21
• 公開（公告）號: CN202855729U
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 武艷霞
• 申請（專利權）人: 深圳市立德電控科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/488
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種功率模塊。

背景技術

目前，IGBT（Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）模塊或FRD（Fast?Recovery?Diode，快恢復二極管）模塊在應用時經常會發生主電極脫落的失效，造成電極脫落的原因是焊料在高溫且有機械應力的條件下加速蠕變斷裂，從而導致電極脫落。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種可以盡量避免電極脫落的功率模塊。

一種功率模塊，包括兩電極、外殼、陶瓷基板及銅基板，所述陶瓷基板與銅基板焊接在一起，所述外殼設置于銅基板之上；所述兩電極的第一端焊接至陶瓷基板之上，每一電極的第二端穿過所述外殼且延伸出外殼，所述電極延伸出外殼的部分被橫向彎折，且電極上被橫向彎折的部位與外殼的上表面之間具有一定的空隙。

進一步地，每一電極的第一端彎折成一倒“7”字形。

進一步地，所述陶瓷基板與銅基板通過焊錫片或者焊錫膏焊接在一起，所述兩電極通過焊錫片或者焊錫膏焊接至陶瓷基板之上。

進一步地，所述空隙的高度為0.7～1.0mm。

上述功率模塊及其制造方法通過在電極與外殼之間設置一空隙，可避免電極在其延伸出外殼的一端被折彎時產生較大的向上拉力繼而可避免在電極與陶瓷基板相焊接的部位產生較大的機械應力，即可大大減少功率模塊在使用過程中產生電極脫落失效的概率。

附圖說明

圖1為本實用新型功率模塊的較佳實施方式的示意圖。

圖2為圖1中功率模塊的制造方法的流程圖。

具體實施方式

本實用新型功率模塊的較佳實施方式包括兩電極1、外殼3、陶瓷基板5及銅基板7。當然，所述功率模塊中還包括有其他元件，如電路板、電阻、電容等，由于其與本實用新型的構思關系不大，故在此不再贅述。

所述陶瓷基板5與銅基板7通過焊錫片或者焊錫膏焊接在一起，所述外殼3則設置于銅基板7之上。所述兩電極1通過焊錫片或者焊錫膏焊接至陶瓷基板5之上，且每一電極1與陶瓷基板5相連接的一端彎折成一倒“7”字形，以增大電極1與陶瓷基板5的接觸面積，進而可較好的與陶瓷基板5相焊接。

每一電極1的另一端穿過所述外殼3且延伸出外殼3，所述電極1延伸出外殼3的部分則被橫向彎折，且電極1上被橫向彎折的部位與外殼3的上表面之間具有一定的空隙9，該空隙可設置在0.7～1.0mm。如此，可避免電極1在其延伸出外殼3的一端被折彎時產生較大的向上拉力，繼而可避免在電極1與陶瓷基板5相焊接的部位產生較大的機械應力，即可大大減少功率模塊在使用過程中產生電極1脫落失效的概率。

請參考圖2，上述功率模塊的制造方法的較佳實施方式包括以下步驟：

步驟S1：將所述陶瓷基板5與銅基板7通過焊錫片或者焊錫膏焊接在一起。

步驟S2：將兩電極1彎折后的第一端通過焊錫片或者焊錫膏焊接至陶瓷基板5之上。

步驟S3：將每一電極1的第二端穿過所述外殼3且延伸出外殼3。

步驟S4：將所述外殼3固定于銅基板7之上。

步驟S5：在電極1上待被彎折的部位與外殼3的上表面之間插入一薄片，將所述電極1延伸出外殼3的部分橫向彎折。

步驟S6：取下薄片，如此即可使得電極1上被橫向彎折的部位與外殼3的上表面之間具有一定的空隙9。

以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。