[實用新型]一種發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201220476129.6
• 申請日: 2012-09-17
• 公開（公告）號: CN202839727U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 皮智華;張建寶
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，特別涉及一種發光二極管芯片。

背景技術

發光二極管是一種半導體固定發光器件，其直接可以將電能轉化為光能。目前，發光二極管已廣泛地用于顯示屏、背光源、照明等領域。發光二極管芯片是半導體晶片，是發光二極管的核心組件。

發光二極管芯片包括襯底以及依次生長在襯底上的n型層、MQWs（Multiple?Quantum?Wells，多量子阱）層和p型層，芯片上設有從p型層刻蝕到n型層的凹槽，凹槽內的n型層上設有n型焊盤，p型層上設有p型焊盤。

在實現本實用新型的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

現有的發光二極管芯片的n型焊盤是制作在凹槽內的n型層上，制作凹槽時需要刻蝕掉部分發光區（多量子阱層）至n型層，當發光二極管芯片為中小型功率的發光二極管芯片時，其芯片尺寸較小，制作n型焊盤時刻蝕掉的發光區的面積占到發光二極管芯片總發光區的面積的10%，減小了發光二極管芯片的發光面積，影響了發光二極管的亮度，降低了發光二極管的發光效率。

實用新型內容

為了解決現有技術的問題，本實用新型實施例提供了一種發光二極管芯片。所述技術方案如下：

一種發光二極管芯片，所述芯片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的n型層、多量子阱層和p型層，所述p型層上設有p型焊盤，所述p型層上設有盲孔，所述盲孔從所述p型層延伸至所述n型層，所述盲孔的一端設有n型焊盤且所述n型焊盤位于所述p型層上，所述盲孔內設有將所述n型焊盤與所述n型層電連接的導電結構，所述n型焊盤與所述p型層之間、所述導電結構與所述p型層之間以及所述導電結構與所述多量子阱層之間設有絕緣層。

優選地，所述盲孔為垂直盲孔。

優選地，所述盲孔的孔徑為5-10um。

優選地，所述導電結構為導電膠。

優選地，所述絕緣層為SiO₂層。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：通過在p型層設有盲孔，盲孔從p型層延伸至n型層，將n型焊盤設置在盲孔的上方的p型層上，并在盲孔內填充導電結構使得n型焊盤與n型層電連接，從而減小了制作n型焊盤時需要刻蝕掉的發光面積，相較于傳統的發光二極管芯片，本實用新型的發光二極管芯片相應地增大了發光面積，從而提高了發光二極管芯片的亮度和發光效率。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例提供的一種發光二極管芯片的結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。

實施例

本實用新型實施例提供了一種發光二極管芯片，參見圖1，該芯片包括：

襯底1以及依次層疊在襯底1上的n型層2，多量子阱層3和p型層4，p型層4上設有p型焊盤41，p型層4上設有盲孔5，盲孔5從p型層4延伸至n型層2，盲孔5的一端設有n型焊盤42且n型焊盤42位于p型層4上，盲孔5內設有將n型焊盤42與n型層2電連接的導電結構51，n型焊盤42與p型層4之間、導電結構51與p型層4之間以及導電結構51與多量子阱3之間設有絕緣層52。

具體地，襯底1可以為藍寶石襯底。

優選地，盲孔5可以為垂直盲孔。

優選地，盲孔5的孔徑為5-10um。

優選地，導電結構51可以為導電膠。通過在盲孔5內鋪設導電膠，通過導電膠實現n型焊盤42與n型層2的電連接，工藝簡單，易于操作。

優選地，絕緣層52可以為SiO₂層。通過設置SiO₂層，實現n型焊盤42與p型層4、多量子阱層3的電絕緣，保證了芯片的導電結構穩定。