[實用新型]一種發光二極管芯片有效
| 申請號： | 201220476129.6 | 申請日： | 2012-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN202839727U | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 皮智華;張建寶 | 申請（專利權）人： | 華燦光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發光二極管 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管芯片，所述芯片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的n型層、多量子阱層和p型層，所述p型層上設有p型焊盤，其特征在于，
所述p型層上設有盲孔，所述盲孔從所述p型層延伸至所述n型層，所述盲孔的一端設有n型焊盤且所述n型焊盤位于所述p型層上，所述盲孔內設有將所述n型焊盤與所述n型層電連接的導電結構，所述n型焊盤與所述p型層之間、所述導電結構與所述p型層之間以及所述導電結構與所述多量子阱層之間設有絕緣層。
2.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述盲孔為垂直盲孔。
3.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述盲孔的孔徑為5-10um。
4.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述導電結構為導電膠。
5.根據權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述絕緣層為SiO2層。
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