[實用新型]一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管

有效

• 申請號: 201220475976.0
• 申請日: 2012-09-18
• 公開（公告）號: CN202948935U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 關仕漢;李勇昌;彭順剛;鄒鋒;王常毅
• 申請（專利權）人: 桂林斯壯微電子有限責任公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標事務所有限公司 45107
• 代理人: 陳躍琳

1.一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，包括背面金屬層、襯底基片、基礎硅外延層、掩埋體、肖特基勢壘、氧化硅外環層和表面金屬層；背面金屬層置于襯底基片的下方；基礎硅外延層覆蓋于襯底基片上方；掩埋體與基礎硅外延層互為異型半導體，即掩埋體與基礎硅外延層各采用N型半導體和P型半導體中的一種；多個掩埋體各自獨立且相互隔離地掩埋在基礎硅外延層的上部，這些掩埋體與基礎硅外延層形成多個PN結；環狀的氧化硅外環層位于基礎硅外延層的上表面邊沿；肖特基勢壘位于氧化硅外環層內側的基礎硅外延層之上；表面金屬層置于肖特基勢壘和氧化硅外環層之上；其特征在于：所述基礎硅外延層的上方以及肖特基勢壘和氧化硅外環層的下方還增設有一層附加硅外延層，且該附加硅外延層與基礎硅外延層為同型半導體，即基礎硅外延層與附加硅外延層同為N型半導體或同為P型半導體。

2.根據權利要求1所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述掩埋體呈塊狀。

3.根據權利要求1或2所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：多個掩埋體在基礎硅外延層的上部呈矩陣陣列分布或環形陣列分布。

4.根據權利要求1所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：還進一步包括有一環狀的基礎終止環；該基礎終止環環繞地掩埋在基礎硅外延層的上部邊沿處，并將多個掩埋圈設在基礎終止環的內側；基礎終止環與基礎硅外延層互為異型半導體，基礎終止環與基礎硅外延層之間形成PN結。

5.根據權利要求1所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：還進一步包括有一環狀的附加終止環；該附加終止環環繞掩埋在附加硅外延層的邊沿處；附加終止環與附加硅外延層互為異型半導體，附加終止環與附加硅外延層之間形成PN結。

6.根據權利要求1所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述附加硅外延層的厚度小于或等于基礎硅外延層的厚度。

7.根據權利要求6所述的一種掩埋PN結勢壘肖特基二極管，其特征在于：附加硅外延層的厚度小于或等于基礎硅外延層中掩埋體的掩埋厚度。