[實用新型]一種基于藍寶石基板的半導體設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220475622.6 | 申請日: | 2012-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN202772112U | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐廣忠 | 申請(專利權(quán))人: | 泰州普吉光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;C30B25/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 225300 江蘇省泰州市海*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 藍寶石 半導體設(shè)備 | ||
技術(shù)領(lǐng)域??
本實用新型屬于半導體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種基于藍寶石基板的半導體設(shè)備。
背景技術(shù)??
目前,大多數(shù)的半導體材料主要是外延生長在藍寶石基板上,在外延生長過程中,容易引起藍寶石基板的翹曲,嚴重時,導致藍寶石基板的破裂,造成后續(xù)工藝的復雜,增加了工藝難度,同時,也增加了成本。
實用新型內(nèi)容???
本實用新型的目的在于提供一種基于藍寶石基板的半導體設(shè)備,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)半導體材料在外延生長過程中,容易引起藍寶石基板的翹曲,嚴重時,導致藍寶石基板的破裂,造成后續(xù)工藝的復雜,增加了工藝難度,同時,也增加了成本的問題。
本實用新型是這樣實現(xiàn)的,一種基于藍寶石基板的半導體設(shè)備,所述基于藍寶石基板的半導體設(shè)備設(shè)有一藍寶石基板,所述藍寶石基板的下表面通過電鍍的方法形成一金屬層,所述金屬層對所述藍寶石基板進行平面固定,所述藍寶石基板的上表面通過外延生長的方法形成一外延層,所述外延層和金屬層的厚度相適應(yīng),所述金屬層的長度長于所述藍寶石基板的長度。
作為一種改進的方案,所述金屬層為AL元素構(gòu)成。
本實用新型在藍寶石基板下表面形成的金屬層對藍寶石基板進行平面固定,降低了藍寶石基板在材料外延生長時,發(fā)生翹曲或破裂的可能性,工藝簡單,成本較低。
附圖說明??
圖1是本實用新型提供的基于藍寶石基板的半導體設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式??
為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本實用新型進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解,此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本實用新型。
圖1示出了本實用新型提供的基于藍寶石基板的半導體設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖,為了便于說明,圖中僅給出了與本實用新型相關(guān)的部分。
基于藍寶石基板的半導體設(shè)備設(shè)有一藍寶石基板1,所述藍寶石基板1的下表面通過電鍍的方法形成一金屬層2,所述金屬層2對所述藍寶石基板1進行平面固定,所述藍寶石基板1的上表面通過外延生長的方法形成一外延層3,所述外延層3和金屬層2的厚度相適應(yīng),所述金屬層2的長度長于所述藍寶石基板1的長度。
其中,所述金屬層2為AL元素構(gòu)成。
在本實用新型中,外延層3和金屬層2的厚度相適應(yīng)的含義為:金屬層2的厚度可以根據(jù)外延層3的厚度進行調(diào)整。
本實用新型在藍寶石基板下表面形成的金屬層對藍寶石基板進行平面固定,降低了藍寶石基板在材料外延生長時,發(fā)生翹曲或破裂的可能性,工藝簡單,成本較低。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已,并不用以限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等,均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于泰州普吉光電股份有限公司,未經(jīng)泰州普吉光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220475622.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:具有鎖緊裝置的工作臺
- 下一篇:一種線切割穿線輔助工具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





