[實用新型]半鰭式FET半導體器件有效
| 申請號： | 201220472095.3 | 申請日： | 2012-09-14 |
| 公開（公告）號： | CN202816956U | 公開（公告）日： | 2013-03-20 |
| 發明（設計）人： | 陳向東;夏維 | 申請（專利權）人： | 美國博通公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 田喜慶 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半鰭式 fet 半導體器件 | ||
1.一種半鰭式FET半導體器件，包括：
柵極結構，形成于半導體主體上方；
所述半導體主體包括由延伸超過所述柵極結構的第一側的多個鰭構成的源極區；
所述半導體主體還包括與所述柵極結構的與所述多個鰭相對的第二側相鄰的連續漏極區；
其中，所述連續漏極區使得所述半鰭式FET半導體器件具有降低的導通電阻。
2.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，還包括位于所述柵極結構下方并與所述多個鰭相連的溝道區。
3.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述半鰭式FET半導體器件是n溝道金屬氧化物半導體（NMOS）器件。
4.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述半鰭式FET半導體器件是p溝道金屬氧化物半導體（PMOS）器件。
5.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述半鰭式FET半導體器件是橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）器件。
6.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述半鰭式FET半導體器件還包括形成于所述連續漏極區和所述柵極結構之間的隔離體。
7.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述多個鰭為硅鰭。
8.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述柵極結構包括柵極和置于所述柵極與所述半導體主體之間的柵極介質。
9.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述柵極結構包括多晶硅柵極以及置于所述多晶硅柵極和所述半導體主體之間的選自氧化硅和氮化硅之一的柵極介質。
10.根據權利要求1所述的半鰭式FET半導體器件，其中，所述柵極結構包括金屬柵極和置于所述金屬柵極與所述半導體主體之間的高κ柵極介質。
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