[實(shí)用新型]一種多芯片半導(dǎo)體器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220468754.6
• 申請(qǐng)日: 2012-09-14
• 公開（公告）號(hào): CN202816917U
• 公開（公告）日: 2013-03-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅艷玲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/49
• 分類號(hào): H01L23/49;H01L23/495
• 代理公司: 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種多芯片半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

現(xiàn)如今，半導(dǎo)體集成電路芯片因其體積小，處理能力強(qiáng)而得到越來越廣泛的使用。而隨著技術(shù)的進(jìn)步，越來越多的半導(dǎo)體器件需要將多個(gè)半導(dǎo)體元件封裝在一起。同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)各個(gè)半導(dǎo)體元件之間的電連接，一般需要采用接合線使半導(dǎo)體元件之間實(shí)現(xiàn)電連接。

現(xiàn)有技術(shù)中，一般采用銅線或者鋁線等單一形式的金屬線作為接合線，但是由于半導(dǎo)體器件中有多個(gè)半導(dǎo)體元件，所以需要較多的接合線，如果單獨(dú)采用銅線作為接合線，大量的銅線會(huì)占用比較多的空間，增加了半導(dǎo)體器件的體積，同時(shí)比較密集的銅線之間也容易產(chǎn)生較大的寄存性電容，影響半導(dǎo)體器件性能。另一方面，由于接合線數(shù)量較多，焊接需要較多時(shí)間，生產(chǎn)效率低下。如果采用鋁線作為連接線，由于一根鋁線可替代多條銅線，因此可大大減少接合線的數(shù)量，避免采用銅線時(shí)遇到的諸多問題，但是，由于IC芯片上的焊盤尺寸較小，而采用鋁線焊點(diǎn)較大，容易造成短路等問題，所以在IC芯片上不適合采用鋁線作為接合線。

因此，為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種能減少半導(dǎo)體器件接合線數(shù)量，縮小半導(dǎo)體器件尺寸，同時(shí)又不影響半導(dǎo)體器件性能的半導(dǎo)體器件技術(shù)顯得尤為重要。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于避免上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處而提供一種能減少半導(dǎo)體器件接合線，縮小半導(dǎo)體器件尺寸的多芯片半導(dǎo)體器件。

本實(shí)用新型的目的通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

提供了一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片和MOS芯片，還包括管腳和電路基板，所述IC芯片和MOS芯片分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板上，所述IC芯片通過銅線分別與MOS芯片、電路基板和管腳電連接，所述MOS芯片通過鋁線分別與電路基板和管腳電連接。

其中，所述銅線外表面涂覆有涂覆層。

其中，還包括引線框架，所述引線框架上設(shè)置有焊接區(qū)，所述電路基板焊接于所述焊接區(qū)上。

其中，所述半導(dǎo)體應(yīng)先框架的外部對(duì)應(yīng)所述IC芯片的位置設(shè)置有散熱板。

其中，所述引線框架的外部對(duì)應(yīng)所述MOS芯片的位置設(shè)置有散熱板。

本實(shí)用新型的有益效果：提供了一種多芯片半導(dǎo)體器件，包括IC芯片和MOS芯片，還包括管腳和電路基板，所述IC芯片和MOS芯片分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板上，所述IC芯片通過銅線分別與MOS芯片、電路基板和管腳電連接，所述MOS芯片通過鋁線分別與電路基板和管腳電連接。由于IC芯片焊盤尺寸較小，不利于鋁線焊接，因此，采用銅線焊接，而MOS芯片的焊盤尺寸較大，采用鋁線替代銅線焊接，而一條鋁線能夠代替多條銅線，本實(shí)用新型采用銅線和鋁線相結(jié)合的接合方式，不僅能減少接合線的使用數(shù)量，減小了器件的總體尺寸，同時(shí)也避免了大量密集的銅線會(huì)產(chǎn)生寄存性電容的問題，提高器件性能。

附圖說明

利用附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明，但附圖中的實(shí)施例不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的任何限制，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)以下附圖獲得其它的附圖。

圖1為本實(shí)用新型一種多芯片半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型一種多芯片半導(dǎo)體器件的實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

在圖1至圖2中包括有：

1——IC芯片、2——MOS芯片、3——管腳、4——電路基板、5——銅線、6——鋁線、7——引線框架?、8——散熱板。

具體實(shí)施方式

結(jié)合以下實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

本實(shí)用新型一種多芯片半導(dǎo)體器件的具體實(shí)施方式，如圖1至圖2所示，包括有：包括IC芯片1和MOS芯片2，還包括管腳3和電路基板4，所述IC芯片1和MOS芯片2分別焊接在對(duì)應(yīng)的電路基板4上，所述IC芯片1通過銅線5分別與MOS芯片2、電路基板4和管腳3電連接，所述MOS芯片2通過鋁線6分別與電路基板4和管腳3電連接。由于IC芯片1焊盤尺寸較小，不利于鋁線6焊接，因此采用銅線5焊接，而MOS芯片2的焊盤尺寸較大，采用鋁線6替代銅線5焊接，而一條鋁線6能夠代替多條銅線5，因此能減少了接合線的數(shù)量，減小了器件的總體尺寸，同時(shí)也避免了大量密集的銅線5會(huì)產(chǎn)生寄存性電容的問題，提高器件性能。

本實(shí)施例中，所述銅線5外表面涂覆有涂覆層。涂覆層既能夠有效的保護(hù)銅線5，提高銅線5以及金線的耐高溫特性，耐遷移性等，同時(shí)還可以減低接合線之間的寄存性電容，進(jìn)一步提高多芯片半導(dǎo)體器件的性能。