[實用新型]自舉式反相器

有效

• 申請號: 201220465793.0
• 申請日: 2012-09-13
• 公開（公告）號: CN202798658U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 王紀云;周曉東
• 申請（專利權）人: 鄭州單點科技軟件有限公司
• 主分類號: H03K19/094
• 分類號: H03K19/094
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種反相電路，特別是一種自舉式反相電路。

背景技術

反相器是電子電路里常用到的電路，現有技術的反相器一般是由一直PMOS管和一直NMOS管構成的，PMOS管的源極接電壓源，漏極連接NMOS管的漏極，NMOS管的源極接地，NMOS管和PMOS管的柵極作為輸入端，而NMOS管和PMOS管漏極作為輸出端。當負載的電阻越大時，此時該結構的反相的自發熱越大，使得電路的輸出不穩定。

實用新型內容

本實用新型的發明目的在于：針對上述存在的問題，提供一種自舉式反相放大器。

本實用新型采用的技術方案是這樣的：一種自舉式反相器，該自舉式反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一電容、第二電容和反相器。

所述第一PMOS管的源極接第一控制信號輸入端，漏極與第一NMOS管的漏極、第三PMOS管的源極、第二PMOS管的柵極和第三NMOS管的漏極連接，柵極與第四PMOS管的源極、第六NMOS管的漏極、第二PMOS管的漏極、第四NMOS管的漏極連接；第二PMOS管的源極連接第一控制信號輸入端；反相器的輸入端連接第一控制信號輸入端，負極端與第三PMOS管的柵極、第四PMOS管的柵極連接；第三PMOS管的漏極與第一NMOS管的源極、第二NMOS管的柵極連接；第四PMOS管的漏極與第五NMOS管的柵極、第六NMOS管的源極連接。第一NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端；第二NMOS管的漏極連接第二控制信號輸入端，源極通過第一電容接地；第三NMOS管的源極接地，柵極連接第一輸入端；第四NMOS管的源極接地，柵極連接第二輸入端；第五NMOS管的漏極連接第二控制信號輸入端，源極通過第二電容接地；第六NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端。

在上述的電路中，所述第一PMOS管與第二PMOS管為參數相同的PMOS管。

在上述的電路中，所述第三PMOS管與第四PMOS管為參數相同的PMOS管。

在上述的電路中，所述第一NMOS管與第六NMOS管為參數相同的NMOS管。

在上述的電路中，所述第三NMOS管與第四NMOS管為參數相同的NMOS管。

在上述的電路中，所述第二NMOS管與第五NMOS管為參數相同的NMOS管。

綜上所述，由于采用了上述技術方案，本實用新型的有益效果是：在負載較大時也能控制該反相器的自發熱，使得可以輸出穩定。

附圖說明

圖1是本實用新型自舉式反相器的電路原理圖。

具體實施方式

下面結合附圖，對本實用新型作詳細的說明。

為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。

如圖1所示，是本實用新型自舉式反相器的電路原理圖。

本實用新型的一種自舉式反相器，包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第一電容C1、第二電容C2和反相器。在本實用新型的技術方案中，優選采用：第一PMOS管P1與第二PMOS管P2的參數相同，第三PMOS管P3與第四PMOS管P4的參數相同，第一NMOS管N1與第六NMOS管N6的參數相同，第三NMOS管N3與第四NMOS管N4的參數相同，第二NMOS管N2與第五NMOS管N5的參數相同。