[實用新型]自舉式反相器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220465793.0 | 申請日: | 2012-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN202798658U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王紀云;周曉東 | 申請(專利權)人: | 鄭州單點科技軟件有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/094 | 分類號: | H03K19/094 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 450016 河南省鄭州市經*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 舉式反相器 | ||
1.一種自舉式反相器,其特征在于,包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)、第三PMOS管(P3)、第四PMOS管(P4)、第一NMOS管(N1)、第二NMOS管(N2)、第三NMOS管(N3)、第四NMOS管(N4)、第五NMOS管(N5)、第六NMOS管(N6)、第一電容(C1)、第二電容(C2)和反相器;
所述第一PMOS管(P1)的源極接第一控制信號輸入端(CLK1),漏極與第一NMOS管(N1)的漏極、第三PMOS管(P3)的源極、第二PMOS管(P2)的柵極和第三NMOS管(N3)的漏極連接,柵極與第四PMOS管(P4)的源極、第六NMOS管(N6)的漏極、第二PMOS管(P2)的漏極、第四NMOS管(N4)的漏極連接;第二PMOS管(P2)的源極連接第一控制信號輸入端(CLK1);反相器的輸入端連接第一控制信號輸入端(CLK1),負極端與第三PMOS管(P3)的柵極、第四PMOS管(P4)的柵極連接;第三PMOS管(P3)的漏極與第一NMOS管(N1)的源極、第二NMOS管(N2)的柵極連接;第四PMOS管(P4)的漏極與第五NMOS管(N5)的柵極、第六NMOS管的源極連接;
第一NMOS管的柵極連接第一控制信號輸入端(CLK1);第二NMOS管(N2)的漏極連接第二控制信號輸入端(CLK2),源極通過第一電容(C1)接地;第三NMOS管(N3)的源極接地,柵極連接第一輸入端(IN1);第四NMOS管(N4)的源極接地,柵極連接第二輸入端(IN2);第五NMOS管(N5)的漏極連接第二控制信號輸入端(CLK2),源極通過第二電容(C2)接地;第六NMOS管(N6)的柵極連接第一控制信號輸入端(CLK1)。
2.根據(jù)權利要求1所述的自舉式反相器,其特征在于,所述第一PMOS管(P1)與第二PMOS管(P2)為參數(shù)相同的PMOS管。
3.根據(jù)權利要求1所述的自舉式反相器,其特征在于,所述第三PMOS管(P3)與第四PMOS管(P4)為參數(shù)相同的PMOS管。
4.根據(jù)權利要求1所述的自舉式反相器,其特征在于,所述第一NMOS管(N1)與第六NMOS管(N6)為參數(shù)相同的NMOS管。
5.根據(jù)權利要求1所述的自舉式反相器,其特征在于,所述第三NMOS管(N3)與第四NMOS管(N4)為參數(shù)相同的NMOS管。
6.根據(jù)權利要求1所述的自舉式反相器,其特征在于,所述第二NMOS管(N2)與第五NMOS管(N5)為參數(shù)相同的NMOS管。
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