[實用新型]一種用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置

有效

• 申請號: 201220455499.1
• 申請日: 2012-09-07
• 公開（公告）號: CN202878887U
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 李國嶺;徐力;郭金娥;徐信富;周鋒子
• 申請（專利權）人: 洛陽鼎晶電子科技有限公司
• 主分類號: B41F15/08
• 分類號: B41F15/08;H01L31/18
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本實用新型涉及太陽能光伏技術領域,特別是涉及一種用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置。

背景技術

硅片是現代微電子技術和太陽能光電轉換技術的基礎，是太陽能光伏電池技術中最昂貴的部分。近年來，盡管硅原料價格已有明顯下降，但降低硅片的制造成本對于提高太陽能對傳統能源的競爭力依然至關重要。

根據理論模擬，若硅片的厚度為40μm，太陽能光伏電池可達到最佳性能[M.Wolf?in?Proceeding?of?the?14^th?IEEE?Photovoltaics?Conference,San?Diego,CA,1980,p674;M.J.Kerr,J.Schmidt,and?A.Cuevas,in?Proceedings?of?the?29^th?IEEE?Photovoltaics?Specialists?Conference,New?Orleans,LA,2002,p438]。2007年，比利時Dross等人公布了一項制造太陽能電池用50μm厚晶體硅片的新方法[F.Drosse?et?al.,Appl.Phys.A?89,149(2007)]。其最大的特點在于，不同于以往用線鋸切割硅碇的技術，而是利用硅與金屬間的熱膨脹差異來剝取硅片，因此，不會產生由切屑等造成的不必要的浪費。這種新方法被稱作應力誘導剝離方法（stress?induced?lift-off?method，SLiM-Cut）技術[J.Vaes?et?al.,Proc.SPIE?7772,777212(2010)]。

通過對基于SLiM-Cut技術制備超薄硅片的方法進行改進，使用價格低廉、工藝成熟的青銅漿和鋅漿替代銀漿和鋁漿，并將退火溫度降低至720℃，同樣能夠制備出30-50μm的硅片，并且可以有效降低成本。

在SLiM-Cut技術中，通常是以絲網印刷的方式在硅基體上形成金屬層。通過控制絲網印刷至硅基體上的青銅漿的厚度可以精確控制所制備出的硅片的厚度在30-50μm。

有鑒于此，本設計人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業知識，并配合學理的運用，積極加以研究創新，以期創設一種新型結構的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，使其可以控制絲網印刷至硅基體上青銅漿的厚度。經過不斷的研究、設計,并經過反復試作樣品及改進后，終于創設出確具實用價值的本實用新型。

發明內容

本實用新型的目的在于，提供一種新型結構的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，所要解決的技術問題是使其可以便于精確控制所制備出的超薄硅單晶片的厚度，提高太陽能電池的轉化效率，非常適于實用。

本實用新型的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本實用新型提出的一種用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，其包括：在硅基體上印上一層厚度為20μm厚的青銅漿層的絲網印刷模塊及在青銅層上印上一層厚度為40μm厚的鋅漿層的絲網印刷模塊。

本實用新型的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，其中所述在硅基體上印上一層厚度為20μm厚的青銅漿層的絲網印刷模塊的絲網為400目，厚度為20μm。

前述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，其中所述在青銅層上印上一層厚度為40μm的鋅漿層的絲網印刷模塊的絲網為100目。

前述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，還包括多個能夠在硅基體上印上一層厚度為20μm-40μm之間的不同厚度的青銅漿層的絲網印刷模塊。

前述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網印刷裝置，其中所述多個能夠在硅基體上印上一層厚度為20μm-40μm之間的不同厚度的青銅漿層的絲網印刷模塊的絲網分別具有400目至100目之間的不同目數。