[實(shí)用新型]一種用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220455499.1 | 申請日： | 2012-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN202878887U | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李國嶺;徐力;郭金娥;徐信富;周鋒子 | 申請（專利權(quán)）人： | 洛陽鼎晶電子科技有限公司 |
| 主分類號： | B41F15/08 | 分類號： | B41F15/08;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 471003 河南省洛*** | 國省代碼： | 河南;41 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 制作 超薄 晶片 金屬 絲網(wǎng) 印刷 裝置 | ||
1.一種用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置，其特征在于其包括：在硅基體上印上一層厚度為20μm厚的青銅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊及在青銅層上印上一層厚度為40μm厚的鋅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置，其特征在于其中所述在硅基體上印上一層厚度為20μm厚的青銅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊的絲網(wǎng)為400目，厚度為20μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置，其特征在于其中所述在青銅層上印上一層厚度為40μm的鋅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊的絲網(wǎng)為100目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一權(quán)利要求所述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置，其特征在于其還包括多個能夠在硅基體上印上一層厚度為20μm-40μm之間的不同厚度的青銅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于制作超薄硅單晶片的金屬漿絲網(wǎng)印刷裝置，其特征在于其中所述多個能夠在硅基體上印上一層厚度為20μm-40μm之間的不同厚度的青銅漿層的絲網(wǎng)印刷模塊的絲網(wǎng)分別具有400目至100目之間的不同目數(shù)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于洛陽鼎晶電子科技有限公司，未經(jīng)洛陽鼎晶電子科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220455499.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：皺褶式星形濾袋
- 下一篇：一種用于扁平鑄件的澆注系統(tǒng)
