[實用新型]用于濕法化學處理的設備有效
| 申請號: | 201220451012.2 | 申請日: | 2012-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN203055873U | 公開(公告)日: | 2013-07-10 |
| 發明(設計)人: | 約爾格·弗蘭茨克;馬蒂亞斯·尼澤;于爾根·施韋希肯迪克 | 申請(專利權)人: | 睿納有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 張春水;田軍鋒 |
| 地址: | 德國居*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 濕法 化學 處理 設備 | ||
1.用于濕法化學處理的設備,其設置用于借助處理液(F)對襯底進行濕法化學處理,所述用于濕法化學處理的設備包括:具有外壁(2)的、能夠替換的處理池(1);設置在所述處理池(1)之下的用于容納的容器(5),用于容納從所述處理池(1)中流出的處理液(F);以及至少兩根偏心軸(9),借助于所述偏心軸(9)能夠將所述處理池(1)通過提升來與所述用于容納的容器(5)分離。?
2.根據權利要求1所述的用于濕法化學處理的設備,其中在提升的位置中,所述處理池(1)能夠在所述至少兩根偏心軸(9)上移動。?
3.根據權利要求1或2所述的用于濕法化學處理的設備,其中在所述處理池(1)的所述外壁(2)和所述用于容納的容器(5)之間的過渡區域中設置有基于液體的密封部(8),通過在所述過渡區域中提供液體收集容積部實現所述密封部的構成。?
4.根據權利要求3所述的用于濕法化學處理的設備,其中所述液體收集容積部具有小于所述偏心軸(9)的偏心距的深度。?
5.根據權利要求1、2或4之一所述的用于濕法化學處理的設備,其中所述偏心軸(9)從所述用于濕法化學處理的設備的提取側朝向與所述提取側對置的后側傾斜地延伸。?
6.根據權利要求3所述的用于濕法化學處理的設備,其中所述偏心軸(9)從所述用于濕法化學處理的設備的提取側朝向與所述提取側對置的后側傾斜地延伸。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





