[實(shí)用新型]一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220437873.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-08-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN202772119U | 公開(公告)日: | 2013-03-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許亮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/687 | 分類號(hào): | H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 便于 清潔 半導(dǎo)體 沉積 設(shè)備 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于,所述半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)至少包括:
承載結(jié)構(gòu),所述承載結(jié)構(gòu)包括一承載圓盤及垂直固定于該承載圓盤側(cè)壁的六對(duì)用于承載晶圓的承載棒,且相鄰的兩對(duì)承載棒之間的夾角為60度;
環(huán)繞于所述承載圓盤四周的加熱器,且所述加熱器表面具有多個(gè)與各該承載棒對(duì)應(yīng)的收容槽;
連接于所述承載圓盤底部中心區(qū)域,用于帶動(dòng)所述承載圓盤上下移動(dòng)及帶動(dòng)該承載圓盤沿其中心軸轉(zhuǎn)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)支撐裝置;
其中,所述承載棒被所述旋轉(zhuǎn)支撐裝置固定至超出所述加熱器的上表面,且與與其對(duì)應(yīng)的收容槽的夾角為20~40度的位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于:所述承載棒被所述旋轉(zhuǎn)支撐裝置固定至與與其對(duì)應(yīng)的收容槽的夾角為30度的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于:所述承載棒的截面形狀為矩形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于:所述收容槽為矩形槽,且所述收容槽的寬度大于所述承載棒的寬度,所述收容槽的深度大于所述承載棒的高度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于:所述承載圓盤為陶瓷盤,所述承載棒為陶瓷棒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu),其特征在于:所述加熱器的表面為鋁盤。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





