[實用新型]一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220437873.5
• 申請日: 2012-08-30
• 公開（公告）號: CN202772119U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許亮
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所 31219
• 代理人: 李儀萍

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種半導(dǎo)體制程設(shè)備，特別是涉及一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體器件的特征尺寸的不斷縮小，其器件性能越來越高，對器件制造環(huán)境的要求也達(dá)到了前所未有的高度。半導(dǎo)體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大，半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)時，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài)，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。為了滿足量產(chǎn)上的需求，半導(dǎo)體的電性必須是可預(yù)測并且穩(wěn)定的，因此包括摻雜物的純度以及半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)的品質(zhì)都必須嚴(yán)格要求。

半導(dǎo)體技術(shù)是指半導(dǎo)體加工的各種技術(shù)，包括晶圓的生長技術(shù)、薄膜沉積、光刻、蝕刻、摻雜技術(shù)和工藝整合等技術(shù)。沉積技術(shù)是半導(dǎo)體制程工藝中的一個非常重要的技術(shù)。其中，化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，其可用于沉積大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，化學(xué)氣相沉積法是將兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上?；瘜W(xué)氣相沉積包括常壓化學(xué)氣相沉積、等離子體輔助化學(xué)沉積、激光輔助化學(xué)沉積、金屬有機化合物沉積等。

晶片表面的潔凈度是影響化學(xué)氣相沉積的一個重要因素。一般的化學(xué)氣相沉積工藝是在沉積工藝室里進(jìn)行的，在工藝進(jìn)行前必須先對沉積工藝室進(jìn)行清潔，以免沉積工藝室內(nèi)殘留的雜質(zhì)或顆粒對晶片造成不良的影響。一般的結(jié)構(gòu)的沉積設(shè)備在清理時會遇到種種問題而不能達(dá)到所需的要求，容易造成產(chǎn)品良率的下降，不利于節(jié)約成本。

因此，提供一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)實屬必要。

實用新型內(nèi)容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本實用新型的目的在于提供一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)在清理后仍然殘留有雜質(zhì)或顆粒而對晶片造成不良影響的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實用新型提供一種便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)至少包括：

承載結(jié)構(gòu)，所述承載結(jié)構(gòu)包括一承載圓盤及垂直固定于該承載圓盤側(cè)壁的六對用于承載晶圓的承載棒，且相鄰的兩對承載棒之間的夾角為60度；

環(huán)繞于所述承載圓盤四周的加熱器，且所述加熱器表面具有多個與各該承載棒對應(yīng)的收容槽；

連接于所述承載圓盤底部中心區(qū)域，用于帶動所述承載圓盤上下移動及帶動該承載圓盤沿其中心軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)支撐裝置；

其中，所述承載棒被所述旋轉(zhuǎn)支撐裝置固定至超出所述加熱器的上表面，且與與其對應(yīng)的收容槽的夾角為20～40度的位置。

作為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)的一個優(yōu)選方案，所述承載棒被所述旋轉(zhuǎn)支撐裝置固定至與與其對應(yīng)的收容槽的夾角為30度的位置。

作為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)的一個優(yōu)選方案，所述承載棒的截面形狀為矩形。

進(jìn)一步地，所述收容槽為矩形槽，且所述收容槽的寬度大于所述承載棒的寬度，所述收容槽的深度大于所述承載棒的高度。

在本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)中，所述承載圓盤為陶瓷盤，所述承載棒為陶瓷棒。

在本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)中，所述加熱器的表面為鋁盤。

如上所述，本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)，具有以下有益效果：本實用新型包括承載結(jié)構(gòu)，所述承載結(jié)構(gòu)包括一承載圓盤及垂直固定于該承載圓盤側(cè)壁的六對用于承載晶圓的承載棒，且相鄰的兩對承載棒之間的夾角為60度；環(huán)繞于所述承載圓盤四周的加熱器，且所述加熱器表面具有多個與各該承載棒對應(yīng)的收容槽；連接于所述承載圓盤底部中心區(qū)域，用于帶動所述承載圓盤上下移動及帶動該承載圓盤沿其中心軸轉(zhuǎn)動的旋轉(zhuǎn)支撐裝置；其中，所述承載棒被所述旋轉(zhuǎn)支撐裝置固定至超出所述加熱器的上表面，且與與其對應(yīng)的收容槽的夾角為20～40度的位置。本實用新型將承載棒固定于超出加熱器表面并與對應(yīng)的收容槽具有一定的夾角，把收容槽完全露出，可以有效地對其進(jìn)行清理，避免了雜質(zhì)在收容槽內(nèi)的殘留以及產(chǎn)生顆粒而對晶片造成不良影響，有利于后續(xù)的工藝流程，增加產(chǎn)品的良率。

附圖說明

圖1顯示為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)在正常工作時的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2顯示為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)在正常工作時的截面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3顯示為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)在清潔時的平面結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4顯示為本實用新型的便于清潔的半導(dǎo)體沉積設(shè)備結(jié)構(gòu)在清潔時的截面結(jié)構(gòu)示意圖。