[實用新型]OLED蒸鍍用掩膜板有效
| 申請號: | 201220434085.0 | 申請日: | 2012-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN202786401U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 高昕偉 | 申請(專利權)人: | 四川虹視顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/04 | 分類號: | C23C14/04;C23C14/24;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 周永宏 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 蒸鍍用掩膜板 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種OLED蒸鍍用掩膜板。
背景技術
已有眾多的公開文獻涉及OLED蒸鍍用掩膜板的情況,例如CN101752407A、CN201864769U等,這類掩膜板的制造方法也已為本領域的現有技術,因此,本申請不再對掩膜板的現有狀況作過多介紹。總之,現有掩膜板上通常設有多個蒸鍍單元(每一個蒸鍍單元對應一個OLED器件),每一個蒸鍍單元均包含呈規則排列的蒸鍍缺口,這些蒸鍍缺口可以是按傳統并列方式間隔布置的狹長條孔,也可以是按CN101752407A中所說的錯列方式布置的矩形孔。
隨著OLED技術的發展,尤其是AMOLED技術的出現,使OLED產品尺寸及玻璃基板尺寸都在不斷增加,也要求掩膜板的尺寸要不斷增大。但隨著掩膜板尺寸的增大,會產生由于重力作用而導致的掩膜板下垂問題,隨之導致掩膜板在蒸鍍過程中發生對位不良,嚴重影響生產良率。“OVPD技術在OLED蒸鍍裝置中的應用,姜翠寧等,真空與低溫,第13卷第3期,2007年9月”即對掩膜板下垂問題進行了具體描述,并建議采取OVPD方法加以克服。另外,掩膜板尺寸的增大還會進一步提高因蒸鍍時的掩膜板陰影效應所導致的有機材料邊緣與中心的厚薄不均程度,導致產品不良率提升。
實用新型內容
本實用新型旨在解決的技術問題是提供一種能夠提高蒸鍍品質的OLED蒸鍍用掩膜板。
為此,本申請的蒸鍍掩膜板包括設置在掩膜板本體上的至少一個蒸鍍單元,每一個蒸鍍單元包含呈規則排列的蒸鍍缺口,所述掩膜板本體上位于其蒸鍍單元處的厚度小于該掩膜板本體的外形厚度。需要特別指出的是,本申請中的術語“外形厚度”,應該以該掩膜板本體上能夠對將該掩膜板本體視為一個平板而起主要作用的平面作為測量的基準平面。也就是說,在掩膜板本體上任何相對于該基準平面凸起的部分均不能作為測量本申請所謂的“外形厚度”的基準,例如,本領域技術人員有可能會在掩膜板本體上設計一些凸出特殊結構(如定位結構),本申請則不以這些特殊結構作為測量掩膜板本體的外形厚度。對于本申請的掩膜板,由于掩膜板本體上位于其蒸鍍單元處的厚度較小,因此可減小該處受重力影響而產生的下垂現象,同時能夠減少陰影效應所導致的質量問題,由此提高蒸鍍品質。
為了達到使掩膜板本體上位于其蒸鍍單元處的厚度小于該掩膜板本體的外形厚度的效果,可以先在掩膜板本體上形成預成型凹槽,然后再在預成型凹槽的底部經二次加工形成蒸鍍單元,這樣,最終形成的OLED蒸鍍用掩膜板即成為蒸鍍單元設置在位于掩膜板本體上與之對應的預成型凹槽的底部的結構形式。當然,也可以先在掩膜板本體上形成蒸鍍單元的各個蒸鍍缺口(也就形成了蒸鍍單元),然后再在掩膜板本體上位于對應的蒸鍍單元處經二次加工形成凹槽,這時,由于掩膜板的制作順序發生了調換,因此經二次加工所形成的凹槽就不能再稱為預成型凹槽了。然而,不論是預成型凹槽還是后成型的凹槽,對于本領域技術人員而言僅僅是凹槽制作順序發生了顯而易見的調換,但無論是最初的目的還是最終的效果均實質上相同,因此屬于等同替換方式。
預成型凹槽的大小方面,如果預成型凹槽比對應的蒸鍍單元明顯較大,則有可能因預成型凹槽大面積的減薄作用而影響掩膜板本體的整體強度。相反的,如果預成型凹槽比對應的蒸鍍單元還小,那么本申請所產生的提高蒸鍍品質的效果將會相應的降低。因此,所述預成型凹槽的大小最好與對應的蒸鍍單元的大小一致或略大于該蒸鍍單元的大小,從而達到最優的技術效果。
掩膜板的具體厚度尺寸方面,本申請掩膜板本體上位于其蒸鍍單元處的厚度為10至30微米,掩膜板本體的外形厚度為30至150微米。
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型做進一步的說明。本申請附加的方面和優點將在下面的描述中部分給出,部分將從下面的描述中變得明顯,或通過本申請的實踐了解到。
附圖說明
圖1為本申請實施例1中在掩膜板本體上所形成的預成型凹槽的分布示意圖。
圖2為本申請實施例1中在掩膜板本體上所形成的蒸鍍單元的分布示意圖。
圖3為本申請實施例2中在掩膜板本體上所形成的蒸鍍單元的分布示意圖。
圖4為圖2中A-A向剖視圖。
圖5為圖3中B-B向剖視圖。
具體實施方式
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