[實用新型]一種用于MEMS光學器件的薄膜封帽封裝結構有效
| 申請號: | 201220422223.3 | 申請日: | 2012-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN202785632U | 公開(公告)日: | 2013-03-13 |
| 發明(設計)人: | 羅九斌;歐文;明安杰;張昕;趙敏;秦毅恒;譚振新;顧強;吳健 | 申請(專利權)人: | 江蘇物聯網研究發展中心 |
| 主分類號: | B81B7/00 | 分類號: | B81B7/00 |
| 代理公司: | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
| 地址: | 214135 江蘇省無錫市新區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 mems 光學 器件 薄膜 封裝 結構 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種薄膜封帽封裝結構,尤其是一種用于MEMS光學器件的薄膜封帽封裝結構,具體地說制備得到的薄膜封帽能夠滿足晶圓級和芯片級封裝的要求,屬于MEMS封裝的技術領域。
背景技術
自從1857年Faraday第一次觀察到薄膜淀積的現象到現在,薄膜制造技術得到廣泛的應用,從最早應用在玩具和紡織行業,到現在無所不在的集成電路,薄膜制備技術幾乎滲透到我們日常生活的每個角落,據統計僅薄膜設備一項,全球每年的銷售額可以達到數百億美元,而應用這些薄膜設備制造的產品銷售額要在100倍以上,不但應用廣泛,薄膜淀積的技術也飛速進步,發展了很多種類,IC制造行業每5年就會更新一次設備,這其中有大量薄膜制備設備,薄膜淀積的面積從最初2英寸到12英寸,薄膜厚度從零點幾個納米到幾個毫米,可見薄膜制備技術一直在飛速的進步,相應的理論研究非常深入和廣泛,從經典的熱力學理論到建立在原子級觀測的成核理論,幾乎涉及到薄膜科學的每個方面,MEMS中的平面工藝可以說是薄膜淀積技術和光刻、刻蝕技術的組合,掩蔽層、犧牲層、LIGA技術中的電鍍都離不開薄膜制備技術。
就MEMS(Micro-Electro-Mechanical?Systems)封裝而言,根據產品不同,MEMS的封裝成本在整個MEMS產品中占有40%至80%的比例;同時,MEMS器件的性能和可靠性與其封裝形式及封裝技術有著密不可分的聯系。由于MEMS器件結構的特殊性,其封裝比起傳統的集成電路封裝要復雜很多:首先需要考慮到MEMS器件中同樣重要的電學部件和機械部件;其次,一些MEMS器件需要與外界環境接觸或者與外界環境完全隔離;最后,隨著MEMS結構和MEMS附帶電路的尺寸越來越小。
最早關于MEMS的封帽專利實在20世紀80年代末和90年代初由一些從事MEMS研究多年的老牌半導體公司提出。最常用的工藝是通過刻蝕硅晶圓制造封帽陣列,刻蝕出帽陣列區,并對其進行預切,以便分割成單個封帽,然后通過鍵合的方式將帽陣列與MEMS晶圓進行結合。封好帽之后的MEMS晶圓可以被分割和清洗,受保護的晶圓可以在封裝代工廠完成其后的封裝或組裝。同時,還可以利用通孔技術在封帽上引入導體,在封帽上實現與外部鍵合焊盤的相通。
對于MEMS光學器件,例如微鏡、紅外傳感器等,通常需要在一定的真空環境下才能正常工作。各廠商都在尋求封裝體積更小、氣密性更為優良、可靠性更高的封裝方案。芯片級甚至圓片級MEMS封裝已經成為研究領域中的一個重要的研究方向,其中,基于薄膜技術的芯片級或晶圓級封裝工藝得到了大力的發展,例如現在很多的RF器件都大量采用了薄膜技術進行芯片封帽。在紅外成像傳感器領域,基于犧牲層工藝的薄膜真空封帽技術被視為實現“第四代——像素級封裝”的關鍵,很多科研院校和商業公司不斷地提出新的想法和理念。
發明內容
本實用新型的目的是克服現有技術中存在的不足,提供一種用于MEMS光學器件的薄膜封帽封裝結構,其結構緊湊,制造方便,降低了制造成本,氣密性好,適應范圍廣,安全可靠。
按照本實用新型提供的技術方案,所述用于MEMS光學器件的薄膜封帽封裝結構,包括襯底及位于所述襯底上的MEMS光學結構;所述襯底上設置薄膜封帽,所述薄膜封帽的端部邊緣通過鍵合層與襯底鍵合固定連接;薄膜封帽與襯底間形成容納MEMS光學結構的腔體,所述MEMS光學結構位于腔體內。
所述薄膜封帽的外表面上覆蓋有第一光學增透膜,薄膜封帽的內表面上覆蓋有第二光學增透膜,所述第二光學增透膜位于MEMS光學結構的正上方。
所述薄膜封帽的內表面上設置吸氣劑層,并在薄膜封帽通過鍵合層與襯底鍵合時激活吸氣劑層。
所述襯底內設有貫通襯底的電連接通孔,所述電連接通孔與MEMS光學結構電連接。
本實用新型的優點:
1、本實用新型中提出的用于MEMS光學器件的薄膜封帽結構,采用中轉晶圓轉移鍵合的方式,薄膜封帽的選材更加靈活多樣,可適合多種光學應用的需要。
2、本實用新型中提出的用于MEMS光學器件的薄膜封帽封裝結構,采用在中轉晶圓3上制備,增加了工藝集成的靈活性,強調了薄膜封帽與MEMS光學結構的分開制備,盡量避免了薄膜封帽4和MEMS光學結構、襯底一同制備時的選材和工藝之間的相互間的不利影響;通過選擇適合的鍵合方法,可以避免兩者之間應力問題,為適合多種光學應用的需要,可靈活地在薄膜的內、外表面鍍相應的光學增透膜材料;另外,還可在薄膜封帽的內表面蒸發或濺射吸附劑材料,因此可滿足高氣密性封裝要求的需要。
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