[實用新型]無引腳MOSFET封裝結構

有效

• 申請號: 201220421199.1
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202796919U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 胡乃仁;楊小平;李國發;鐘利強
• 申請（專利權）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡

技術領域

本發明涉及MOSFET芯片技術領域，具體涉及一種無引腳MOSFET封裝結構。

背景技術

隨著電子制造技術的快速發展，消費電子產品越來越向小型、便攜的趨勢發展，這也導致了這些電子產品的內部能夠用于布置電學元件的空間變得越來越有限。在此情況下，采用的電學元件勢必越薄越好，這也成為了目前電子元件制造也的發展趨勢。四方扁平無引腳封裝(QFN)工藝恰好可以滿足這一需求。

附圖1所示是現有技術中一種典型的QFN封裝結構的剖面示意圖，包括芯片900,散熱片920、引線框架930、多個導線940，以及包裹上述結構的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導線940連接在引線框架93。相應的管腳上。絕緣膠950將上述結構全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個管腳和散熱片920與芯片900相對的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實現被封裝的芯片900同外界的電學連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時產生的熱量通過暴露的表面散發到環境中去。

發明內容

本發明目的是提供一種無引腳MOSFET封裝結構，此無引腳MOSFET封裝結構有利于進一步縮小器件的體積，同時減少封裝體中部件的數目；且有效避免了由于連接柵極的金屬線較細在使用中容易斷的技術缺陷，從而延長了產品的使用壽命并提高了可靠性。

為達到上述目的，本發明采用的技術方案是：一種無引腳MOSFET封裝結構，包括MOSFET芯片、環氧樹脂層，所述MOSFET芯片上表面設有源極和柵極，下表面設有漏極，還包括導電基盤、第一導電焊盤和第二導電焊盤，所述導電基盤由散熱區和基盤引腳區組成，此基盤引腳區由若干個相間排列的漏極引腳組成，此漏極引腳一端與散熱區端面電連接，所述散熱區位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過軟焊料導電層電連接；所述第一導電焊盤和第二導電焊盤位于MOSFET芯片另一側，第一導電焊盤和第二導電焊盤均包括焊接區和引腳區，焊接區與引腳區的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區高于引腳區；一鋁導體帶跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導電焊盤的焊接區之間；一金屬線跨接于所述MOSFET芯片的柵極與第二導電焊盤的焊接區之間。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1、上述方案中，所述鋁導體帶寬厚比為1：10?15。

2、上述方案中，所述漏極引腳的數目為四根。

由于上述技術方案運用，本發明與現有技術相比具有下列優點和效果：?

1、本發明封裝體中導電基盤，其同時兼備了現有技術中導電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數目，同時由于散熱區和基盤引腳區為一個整體，提高了電性能的穩定性。

2、本發明封裝體中焊接區與引腳區的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區高于引腳區，并保證了第一、第二導電焊盤的焊接區與MOSFET芯片的柵極在同一水平面，從而有效避免了由于連接柵極的第二金屬線較細在使用中容易斷的技術缺陷，從而延長了產品的使用壽命并提高了可靠性。

3、本發明所述MOSFET芯片的源極與第一導電焊盤的焊接區之間跨接有鋁導體帶，從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產生。

附圖說明

圖1為現有技術結構示意圖；

圖2為本發明功率MOSFET芯片的封裝體結構示意圖；

圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。???

以上附圖中：?1、MOSFET芯片；2、環氧樹脂層；3、導電基盤；31、散熱區；32、基盤引腳區；321、漏極引腳；4、第一導電焊盤；5、第二導電焊盤；6、軟焊料導電層；7、焊接區；8、引腳區；9、金屬線；10、鋁導體帶；11、金屬線。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明作進一步描述：