[實用新型]無引腳MOSFET封裝結構有效
| 申請號： | 201220421199.1 | 申請日： | 2012-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN202796919U | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 胡乃仁;楊小平;李國發;鐘利強 | 申請（專利權）人： | 蘇州固锝電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 馬明渡 |
| 地址： | 215153 江蘇省蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 引腳 mosfet 封裝 結構 | ||
1.?一種無引腳MOSFET封裝結構，包括MOSFET芯片（1）、環氧樹脂層（2），所述MOSFET芯片上表面（1）設有源極和柵極，下表面設有漏極，其特征在于：還包括導電基盤（3）、第一導電焊盤（4）和第二導電焊盤（5），所述導電基盤（3）由散熱區（31）和基盤引腳區（32）組成，此基盤引腳區（32）由若干個相間排列的漏極引腳（321）組成，此漏極引腳（321）一端與散熱區（31）端面電連接，所述散熱區（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且與MOSFET芯片（1）下表面之間通過軟焊料導電層（6）電連接；所述第一導電焊盤（4）和第二導電焊盤（5）位于MOSFET芯片（1）另一側，第一導電焊盤（4）和第二導電焊盤（5）均包括焊接區（7）和引腳區（8），焊接區（7）與引腳區（8）的連接處具有一折彎部（9），從而使得焊接區（7）高于引腳區（8）；一鋁導體帶（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源極與第一導電焊盤（4）的焊接區（7）之間；一金屬線（11）跨接于所述MOSFET芯片（1）的柵極與第二導電焊盤（5）的焊接區（7）之間。
2.?根據權利要求1所述的無引腳MOSFET封裝結構，其特征在于：所述鋁導體帶（10）寬厚比為1：10?15。
3.?根據權利要求1所述的無引腳MOSFET封裝結構，其特征在于：所述漏極引腳（321）的數目為四根。
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