[實用新型]四方扁平無引腳的MOS封裝結構

有效

• 申請號: 201220421180.7
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202796918U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發明（設計）人: 胡乃仁;楊小平;李國發;鐘利強
• 申請（專利權）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡

技術領域

本實用新型涉及MOSFET芯片技術領域，具體涉及一種四方扁平無引腳的MOS封裝結構。

背景技術

隨著電子制造技術的快速發展，消費電子產品越來越向小型、便攜的趨勢發展，這也導致了這些電子產品的內部能夠用于布置電學元件的空間變得越來越有限。在此情況下，采用的電學元件勢必越薄越好，這也成為了目前電子元件制造也的發展趨勢。四方扁平無引腳封裝(QFN)工藝恰好可以滿足這一需求。

附圖1所示是現有技術中一種典型的QFN封裝結構的剖面示意圖，包括芯片900,散熱片920、引線框架930、多個導線940，以及包裹上述結構的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導線940連接在引線框架93。相應的管腳上。絕緣膠950將上述結構全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個管腳和散熱片920與芯片900相對的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實現被封裝的芯片900同外界的電學連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時產生的熱量通過暴露的表面散發到環境中去。

發明內容

本實用新型目的是提供一種四方扁平無引腳的MOS封裝結構，此MOS封裝結構有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產生。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種四方扁平無引腳的MOS封裝結構，包括MOSFET芯片、環氧樹脂層，所述MOSFET芯片上表面設有源極和柵極，下表面設有漏極，其特征在于：還包括第一導電焊盤、第二導電焊盤和第三導電焊盤，第三導電焊盤位于MOSFET芯片一側，所述第一導電焊盤和第二導電焊盤位于MOSFET芯片另一側，第一導電焊盤和第二導電焊盤均包括焊接區和引腳區；一鋁導體帶跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導電焊盤的焊接區之間；一金屬線跨接于所述MOSFET芯片的柵極與第二導電焊盤的焊接區之間。

上述技術方案中進一步改進的方案如下：

1、上述方案中，所述鋁導體帶寬厚比為1：10?15。

2、上述方案中，所述第一導電焊盤的引腳區由至少四根源極引腳組成。

3、上述方案中，所述第二導電焊盤的引腳區由一根柵極引腳組成。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果：?

1、本實用新型所述MOSFET芯片的源極與第一導電焊盤的焊接區之間通過鋁導體帶電連接，這種結構設計從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標，同時也減少熱量的產生。

2、本實用新型MOS封裝結構中第一導電焊盤的引腳區由若干個相間排列的源極引腳組成，充分考慮到MOSFET芯片源極相對柵極電流大的差異，從而有利于減少熱量的產生，并進一步提高了電性能指標。

附圖說明

圖1為現有技術結構示意圖；

圖2為本實用新型功率MOSFET芯片的封裝體結構示意圖；

圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。???

以上附圖中：?1、MOSFET芯片；2、環氧樹脂層；3、第三導電焊盤；4、第一導電焊盤；5、第二導電焊盤；6、金屬線；7、焊接區；8、引腳區；9、鋁導體帶。

具體實施方式

下面結合實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例：一種四方扁平無引腳的MOS封裝結構，包括MOSFET芯片1、環氧樹脂層2，所述MOSFET芯片1上表面設有源極和柵極，下表面設有漏極，還包括第一導電焊盤4、第二導電焊盤5和第三導電焊盤3，第三導電焊盤3位于MOSFET芯片1一側，所述第一導電焊盤7和第二導電焊盤8位于MOSFET芯片1另一側，第一導電焊盤4和第二導電焊盤5均包括焊接區7和引腳區8；一鋁導體帶9跨接于所述MOSFET芯片1的源極與第一導電焊盤4的焊接區7之間；一金屬線6跨接于所述MOSFET芯片1的柵極與第二導電焊盤5的焊接區7之間。

上述鋁導體帶9寬厚比為1：10?15。

上述第一導電焊盤4的引腳區由至少四根源極引腳組成。

上述第二導電焊盤5的引腳區由一根柵極引腳組成。

上述實施例只為說明本實用新型的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本實用新型的內容并據以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據本實用新型精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。