[實用新型]四方扁平無引腳的MOS封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220421180.7
• 申請日: 2012-08-23
• 公開（公告）號: CN202796918U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設計）人: 胡乃仁;楊小平;李國發(fā);鐘利強
• 申請（專利權）人: 蘇州固锝電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 蘇州創(chuàng)元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 馬明渡

1.?一種四方扁平無引腳的MOS封裝結構，包括MOSFET芯片（1）、環(huán)氧樹脂層（2），所述MOSFET芯片（1）上表面設有源極和柵極，下表面設有漏極，其特征在于：還包括第一導電焊盤（4）、第二導電焊盤（5）和第三導電焊盤（3），第三導電焊盤（3）位于MOSFET芯片（1）一側，所述第一導電焊盤（7）和第二導電焊盤（8）位于MOSFET芯片（1）另一側，第一導電焊盤（4）和第二導電焊盤（5）均包括焊接區(qū)（7）和引腳區(qū)（8）；一鋁導體帶（9）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源極與第一導電焊盤（4）的焊接區(qū)（7）之間；一金屬線（6）跨接于所述MOSFET芯片（1）的柵極與第二導電焊盤（5）的焊接區(qū)（7）之間。

2.?根據權利要求1所述的MOS封裝結構，其特征在于：所述鋁導體帶（9）寬厚比為1：10?15。

3.?根據權利要求1所述的MOS封裝結構，其特征在于：所述第一導電焊盤（4）的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。

4.?根據權利要求1所述的MOS封裝結構，其特征在于：所述第二導電焊盤（5）的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。