[實(shí)用新型]一種高純度硅片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220414958.1
• 申請(qǐng)日: 2012-08-21
• 公開（公告）號(hào): CN202786508U
• 公開（公告）日: 2013-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏學(xué)軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 云南三奇光電科技有限公司
• 主分類號(hào): C30B29/06
• 分類號(hào): C30B29/06;H01L21/18
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及晶態(tài)硅技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高純度的晶態(tài)硅片。

背景技術(shù)

晶態(tài)硅分為單晶硅和多晶硅，它們均具有金剛石晶格，晶體硬而脆，具有金屬光澤，能導(dǎo)電，但導(dǎo)電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有半導(dǎo)體性質(zhì)。單晶硅在日常生活中是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。電視、電腦、冰箱、電話、手表、汽車，處處都離不開單晶硅材料，單晶硅作為科技應(yīng)用普及材料之一，已經(jīng)滲透到人們生活中的各個(gè)角落。多晶硅是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。多晶硅可作拉制單晶硅的原料，多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在物理性質(zhì)方面。例如，在力學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)和熱學(xué)性質(zhì)的各向異性方面，遠(yuǎn)不如單晶硅明顯；在電學(xué)性質(zhì)方面，多晶硅晶體的導(dǎo)電性也遠(yuǎn)不如單晶硅顯著，甚至于幾乎沒有導(dǎo)電性。

現(xiàn)有技術(shù)中高純度的硅片，無論是單晶硅還是多晶硅，其形狀通常都是正方形，該正方形的四個(gè)角都是圓角，這主要是由單晶硅片的制造工藝所決定的，而且硅片在使用過程中容易損壞，現(xiàn)在對(duì)于已經(jīng)損壞的單晶硅片通常都是做廢棄處理，造成了極大的浪費(fèi)，而事實(shí)上，這些已經(jīng)損壞的單晶硅片在進(jìn)行重新切割后部分是可用的。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于，提出一種高純度硅片，其采用長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置，可以避免正方形浪費(fèi)硅片，可對(duì)硅棒體進(jìn)行更多的利用。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種高純度硅片，其包括硅片本體，所述硅片本體為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體為四個(gè)頂角均為直角的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。

具體的，所述硅片本體可以采用4.5英寸×3.5英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。

或者，所述硅片本體還可以采用3.5英寸×5英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。

此外，所述硅片本體還可以采用6英寸×4英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。

本實(shí)用新型的高純度硅片，其采用長(zhǎng)方形的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，且長(zhǎng)方形的四個(gè)頂角均采用直角設(shè)置，不僅可以避免正方形設(shè)置浪費(fèi)硅片的缺點(diǎn)，且可以對(duì)硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型的高純度硅片一種具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種高純度硅片，其包括硅片本體10，所述硅片本體10可以為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體10為四個(gè)頂角均為直角的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)。該直角設(shè)置的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)，可以使得硅片的表面積更大，在利用本實(shí)用新型制成的電池拼裝成電池組的時(shí)候，電池與電池之間的間隙幾乎沒有，因此，本實(shí)用新型相對(duì)現(xiàn)有的正方形結(jié)構(gòu)的硅片而言，還具有發(fā)電功率高，利用其制成電池后在拼裝時(shí)安裝空間的利用更為充分的優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型的高純度硅片在具體制作時(shí)，硅片本體10的長(zhǎng)度與寬度均需小于硅棒體（未圖示）的直徑。作為本實(shí)用新型的一種選擇性實(shí)施例，該硅片本體10可以采用4.5英寸×3.5英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。或者，所述硅片本體10還可以采用3.5英寸×5英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。此外，作為本實(shí)用新型的另一種選擇性實(shí)施例，所述硅片本體10還可以采用6英寸×4英寸的長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置。在本實(shí)用新型其它具體實(shí)施例中，該硅片本體10的長(zhǎng)度與寬度均可根據(jù)硅棒體的直徑及實(shí)際的尺寸需求進(jìn)行具體制作。該長(zhǎng)方形結(jié)構(gòu)設(shè)置的硅片本體10可以避免正方形設(shè)置浪費(fèi)硅片的缺點(diǎn)，且可以對(duì)硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少資源損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。