[實(shí)用新型]驅(qū)動IC封裝凸塊及封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220409071.3
• 申請日: 2012-08-17
• 公開（公告）號: CN202839591U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 余家良
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇匯成光電有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 蘇州廣正知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 劉述生

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及驅(qū)動IC封裝領(lǐng)域，特別是涉及一種驅(qū)動IC封裝凸塊及封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

目前業(yè)界在驅(qū)動IC封裝上是使用純金凸塊，為節(jié)省成本也有業(yè)者推出銅、鎳金等組合來取代金，銅的價格雖然比金便宜許多，但制造的程序上需多加至少兩道制程才能體現(xiàn)，也就是鍍鎳、鍍銅，所以成本優(yōu)勢僅僅只有10%~15%左右，加上銅是一種極易在一般環(huán)境下氧化的材料，所以銅的可靠度、保存性度遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足現(xiàn)在業(yè)界的需求。

在封裝的過程中，金屬的硬度是一個關(guān)鍵的考慮因素，太硬會使得晶片的表面保護(hù)層在封裝過程中因?yàn)槌惺懿涣藨?yīng)力而產(chǎn)生破裂，太軟會使得凸塊產(chǎn)生大量的形變，造成相鄰兩個凸塊形成短路，

此外，傳統(tǒng)的封裝僅僅采用純金或銅鎳金的組合凸塊當(dāng)封裝的媒介層，但因?yàn)榻饍r日益提升，且銅鎳金的組合制程復(fù)雜，銅又是一種極易氧化的金屬。

在IC封裝過程中，隨著封裝密度的提高，原本的傳統(tǒng)封裝形態(tài)已經(jīng)難以滿足鍵合工藝要求，為使其能達(dá)到工藝控制要求，我們開發(fā)出一些相應(yīng)的封裝技術(shù)，提高了產(chǎn)品的可靠性，其中金/鈀凸塊因其價格及金屬本身相對于其他金屬的穩(wěn)定性，使其更具優(yōu)勢。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問題是提供一種驅(qū)動IC封裝凸塊及封裝結(jié)構(gòu)，采用金加鈀的雙層凸塊當(dāng)作一個媒介層，作用于結(jié)合晶片和面板，能夠降低材料成本，產(chǎn)品壽命更長，可靠度更加，增強(qiáng)了市場競爭性。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的一個技術(shù)方案是：提供一種驅(qū)動IC封裝凸塊，包括：鋁墊、硅片、硅片護(hù)層、保護(hù)層、導(dǎo)電層和雙層凸塊，所述鋁墊設(shè)置在硅片上，所述鋁墊與硅片表面設(shè)置有硅片護(hù)層，所述雙層凸塊設(shè)置在鋁墊上，所述雙層凸塊包括第一金層和鈀層，所述雙層凸塊與硅片護(hù)層之間設(shè)置導(dǎo)電層和保護(hù)層。

在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中，所述鋁墊與硅片之間為電性連接。

在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中，所述雙層凸塊中的第一金層設(shè)置在鈀層的上方。

在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中，所述第一金層的上表面呈凹槽形設(shè)置。

在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中，所述導(dǎo)電層為第二金層，所述保護(hù)層為鈦鎢層，所述第二金層復(fù)合在鈦鎢層上。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種驅(qū)動IC封裝結(jié)構(gòu)，包括：硅片、封裝凸塊和封裝基板，所述封裝凸塊設(shè)置在硅片表面，所述封裝基板的下表面設(shè)置有槽孔，所述封裝凸塊配置于槽孔內(nèi)，所述封裝凸塊為權(quán)利要求1-5任一所述的封裝凸塊。

在本實(shí)用新型一個較佳實(shí)施例中，所述封裝凸塊與封裝基板之間密封設(shè)置。

本實(shí)用新型的有益效果是：本實(shí)用新型驅(qū)動IC封裝凸塊及封裝結(jié)構(gòu)采用金加鈀的雙層凸塊當(dāng)作一個媒介層，作用于結(jié)合晶片和面板，降低了材料成本，產(chǎn)品壽命更長，可靠度更加，增強(qiáng)了市場競爭性。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型驅(qū)動IC封裝凸塊一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型驅(qū)動IC封裝結(jié)構(gòu)一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；

附圖中各部件的標(biāo)記如下：1、第一金層，2、鈀層，3、導(dǎo)電層，4、保護(hù)層，5、硅片護(hù)層，6、鋁墊，7、封裝凸塊，8、硅片，9、封裝基板，10、槽孔。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本實(shí)用新型的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

請參閱圖1至圖2，本實(shí)用新型實(shí)施例包括：

一種驅(qū)動IC封裝凸塊，包括：鋁墊6、硅片8、硅片護(hù)層5、保護(hù)層4、導(dǎo)電層3和雙層凸塊。

所述鋁墊6設(shè)置在硅片8上用于連接IC內(nèi)部線路。優(yōu)選地，鋁墊6與IC內(nèi)部線路之間為電性連接，將IC內(nèi)部信息經(jīng)由線路傳遞以達(dá)到預(yù)期效果。

所述鋁墊6與硅片8表面設(shè)置有硅片護(hù)層5，其主要作為IC內(nèi)部線路的保護(hù)層，它能夠防止水氧或外在環(huán)境粉塵的污染，確保IC在一般環(huán)境中可以正常運(yùn)作。

本實(shí)用新型利用金加鈀形成的雙層凸塊當(dāng)作一個媒介層，作用于驅(qū)動IC和面板上。

優(yōu)選地，所述雙層凸塊設(shè)置在鋁墊6上，所述雙層凸塊包括第一金層1和鈀層2，第一金層1和鈀層2采用電鍍方式沉積形成。

由于在封裝的過程中，金屬的硬度是一個關(guān)鍵的考慮因素，太硬會使得晶片的表面保護(hù)層在封裝過程中因?yàn)槌惺懿涣藨?yīng)力而產(chǎn)生破裂，太軟會使得凸塊產(chǎn)生大量的形變，造成相鄰兩個凸塊形成短路，而金就是一個可以提供適當(dāng)硬度的金屬。