[實用新型]一種晶體管版圖結構及芯片版圖結構

有效

• 申請號: 201220406951.5
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN202758890U
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 叢久濱;謝文剛;任民
• 申請（專利權）人: 成都國微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本申請涉及半導體技術領域，特別涉及一種晶體管版圖結構及芯片版圖結構。

背景技術

隨著半導體技術的發展，電子產品對芯片的要求越來越嚴格，則相應的對版圖規格的要求也越來越高。

目前，常見的晶體管版圖結構如圖1所示，包括源極區1和漏極區2，且所述源極區1和漏極區2交替排列，呈叉指狀。所述源極區1內設置有源極接觸孔11，所述漏極區2內設置有漏極接觸孔21，所述源極區1和漏極區2之間設置有柵極區3。

但是，在上述晶體管版圖結構下的晶體管的散熱能力較差。

實用新型內容

本申請所要解決的技術問題是提供一種晶體管版圖結構及芯片版圖結構，用以解決現有的晶體管散熱能力較差的問題。

本申請提供了一種晶體管版圖結構，包括：

主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。

優選的，所述主體區包括：

柵極區、公共區、漏極區、P注入阱和深阱區；

所述柵極區呈長條狀，將所述公共區和漏極區隔開；

所述公共區位于兩個柵極區中間，且所述公共區內包括兩源極區和一襯底有源區，所述襯底有源區位于兩源極區之間，且與兩源極區相連接；

所述P注入阱位于所述深阱區上，且所述公共區位于P注入阱內。

優選的，所述源極區內包括至少一個源極接觸孔。

優選的，所述漏極區內包括至少一個漏極接觸孔。

優選的，襯底有源區內包括至少一個襯底接觸孔。

優選的，還包括：

公共金屬區，所述公共金屬區呈啞鈴狀，且位于公共區上；

漏端金屬區，所述漏端金屬區呈紡錘狀，且位于漏極區上。

優選的，還包括：

第一電流通道金屬區，所述第一電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第一電流通道金屬區與公共區交疊的區域設置有至少一個通孔；

第二電流通道金屬區，所述第二電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第二電流通道金屬區與漏極區交疊的區域設置有至少一個通孔。

一種芯片版圖結構，包括至少一個晶體管版圖結構，所述晶體管版圖結構為上述任意一項所述的晶體管版圖結構。

由上述方案可知，本申請提供的晶體管版圖結構，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。即在上述版圖結構下的晶體管的主體結構被淺阱所包覆，與襯底是分離的。所述淺阱的導熱能力較強，可以將晶體管主體結構產生的熱量更好的傳遞給襯底，進而提高晶體管主體的散熱能力。

此外，淺阱的導電能力要強于傳統的襯底，則所述晶體管對大電流的承載能力有所提高。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有的一種晶體管版圖結構示意圖；

圖2為本申請實施例提供的一種晶體管版圖結構示意圖；

圖3為本申請另一實施例提供的另一種晶體管版圖結構示意圖；

圖4為本申請又一實施例提供的又一種晶體管版圖結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本申請實施例中的附圖，對本申請實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本申請中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。

本申請實施例提供了一種晶體管版圖結構，如圖2所示，所述晶體管版圖結構包括主體區201、襯底區202和淺阱區203，其中，所述主體區201設置在所述淺阱區203上，所述淺阱區203設置在所述襯底區202上。

所述主體區201為晶體管的主體工作區域，是電流進出晶體管的主要區域。所述淺阱區203為淺摻雜區，具有一定的摻雜濃度，但是摻雜的深度較淺，則其具有較強的電流承載能力，可以承載較大的電流。所述襯底202為所述主體區201和淺阱區203的承載區域，即所述主體區201和淺阱區203是以襯底202為基礎的。