[實用新型]一種晶體管版圖結構及芯片版圖結構

有效

• 申請號: 201220406951.5
• 申請日: 2012-08-16
• 公開（公告）號: CN202758890U
• 公開（公告）日: 2013-02-27
• 發明（設計）人: 叢久濱;謝文剛;任民
• 申請（專利權）人: 成都國微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;G06F17/50
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種晶體管版圖結構，其特征在于，包括主體區、襯底區和淺阱區，其中，所述主體區設置在所述淺阱區上，所述淺阱區設置在所述襯底區上。

2.根據權利要求1所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述主體區包括：

柵極區、公共區、漏極區、P注入阱和深阱區；

所述柵極區呈長條狀，將所述公共區和漏極區隔開；

所述公共區位于兩個柵極區中間，且所述公共區內包括兩源極區和一襯底有源區，所述襯底有源區位于兩源極區之間，且與兩源極區相連接；

所述P注入阱位于所述深阱區上，且所述公共區位于P注入阱內。

3.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述源極區內包括至少一個源極接觸孔。

4.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，所述漏極區內包括至少一個漏極接觸孔。

5.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，襯底有源區內包括至少一個襯底接觸孔。

6.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，還包括：

公共金屬區，所述公共金屬區呈啞鈴狀，且位于公共區上；

漏端金屬區，所述漏端金屬區呈紡錘狀，且位于漏極區上。

7.根據權利要求2所述的晶體管版圖結構，其特征在于，還包括：

第一電流通道金屬區，所述第一電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第一電流通道金屬區與公共區交疊的區域設置有至少一個通孔；

第二電流通道金屬區，所述第二電流通道金屬區呈長條狀，與所述公共區和漏極區相交疊，且所述第二電流通道金屬區與漏極區交疊的區域設置有至少一個通孔。

8.一種芯片版圖結構，其特征在于，包括至少一個晶體管版圖結構，所述晶體管版圖結構為權利要求1~7任意一項所述的晶體管版圖結構。