[實用新型]一種無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池

有效

• 申請號: 201220402033.5
• 申請日: 2012-08-14
• 公開（公告）號: CN202948936U
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發明（設計）人: 豆維江;秦應雄;徐挺;孫當民;王寶磊;李小玄;張凱
• 申請（專利權）人: 西安黃河光伏科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068
• 代理公司: 西北工業大學專利中心 61204
• 代理人: 顧潮琪

技術領域

本發明屬于太陽能光伏發電領域，尤其涉及一種高效率的太陽能晶硅電池結構。?

背景技術

太陽能資源豐富、分布廣泛，是最具發展潛力的可再生能源。隨著全球能源短缺和環境污染等問題日益突出，太陽能光伏發電因其清潔、安全、便利、高效等特點，已成為世界各國普遍關注和重點發展的新興產業。?

常規太陽能晶硅電池是由正面電極主柵、正面電極細柵、減反膜、帶PN結的硅片、鋁背場、焊接焊帶用的背面電極等組成，硅片背表面與鋁金屬直接接觸，硅和鋁金屬之間的接觸界面復合速率極高，會使太陽電池效率顯著降低，而且全鋁背場的結構不適合薄片化的晶硅太陽電池。?

發明內容

為了克服現有技術的不足，本發明提供一種無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，大大提高電池的轉換效率。?

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：包括正面電極主柵、正面電極細柵、正面減反膜和帶PN結的P型硅片，硅片背面有背面鈍化層，背面鈍化層上印刷背面電極主柵和背面電極細柵，背面電極主柵和背面電極細柵穿透背面鈍化層，與硅片背面實現金屬連接導通。?

所述的硅片背面經過背拋光工藝，使硅片背面變得更加平整。?

所述的背面鈍化層可以是單層電介質鈍化膜，是二氧化硅膜、三氧化二鋁膜、氮化硅膜中的任意一種，厚度為30~100nm。?

所述的背面鈍化層可以是雙層電介質鈍化膜，里層電介質鈍化膜為二氧化硅膜和三氧化二鋁膜中的一種，厚度為5~20nm，外層電介質鈍化膜為氮化硅膜，厚度為20~150nm。?

所述的背面電極主柵為分段中心鏤空結構，背面電極主柵漿料為銀漿或銀鋁漿。?

所述的背面電極細柵漿料為銀鋁漿。?

本發明的有益效果是：通過使用背電介質鈍化膜，減少了硅和鋁金屬之間的接觸界面復合速率，提高電池的電學性能，從而大大提高電池的轉換效率，電池轉換效率?可以提高0.4~1.0%。本發明不需要使用鋁背場，可以用于更薄的硅片。由于電池片的背面電極結構與正面電極結構一樣，本發明可以減少用鋁背場印刷和燒結的設備，從而降低固定資產投資。與用激光刻蝕介質鈍化膜的背鈍化電池相比，可以減少激光設備的投入。?

附圖說明

圖1為背面鈍化層為單層介質鈍化膜的電池結構示意圖。?

圖2為背面鈍化層為雙層介質鈍化膜的電池結構示意圖。?

圖中，1-正面電極主柵，2-正面電極細柵，3-電池片正面，4-減反膜，5-帶PN結的P型硅片，6-單層電介質鈍化膜，7-電池片背面，8-背面電極細柵，9-背面電極主柵，10-里層電介質鈍化膜，11-外層電介質鈍化膜。?

具體實施方式

一種無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池結構，由正面電極主柵、正面電極細柵、正面減反膜、帶PN結的P型硅片、背面鈍化層、背面電極主柵、背面電極細柵等組成，硅片背面有背面鈍化層，在背面鈍化層上通過絲網印刷背面電極主柵和背面電極細柵，背面電極主柵和背面電極細柵通過燒結工藝穿透背面鈍化層，與硅片背面實現金屬連接導通。?

所述的硅片背面經過背拋光工藝，使硅片背面變得更加平整。?

所述的背面鈍化層可以是單層電介質鈍化膜，是二氧化硅膜、三氧化二鋁膜、氮化硅膜中一種，厚度為30~100nm。?

所述的背面鈍化層可以是雙層電介質鈍化膜，里層電介質鈍化膜為二氧化硅膜和三氧化二鋁膜中的一種，厚度為5~20nm，外層電介質鈍化膜為氮化硅膜，厚度為20~150nm。?

所述的背面電極主柵為分段中心鏤空結構，背面電極主柵漿料為銀漿或銀鋁漿。?

所述的背面電極細柵漿料為銀鋁漿。?

下面結合附圖和實施例對本發明進一步說明。?

本發明提供的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池結構，由正面電極主柵1、正面電極細柵2、正面減反膜4、帶PN結的P型硅片5、背面鈍化層、背面電極細柵8、背面電極主柵9等組成，與現有太陽能晶硅電池結構不同之處在于電池片的背面部分，下面舉例予以說明。?

實例1?