[實用新型]一種無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池有效
| 申請號： | 201220402033.5 | 申請日： | 2012-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN202948936U | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發明（設計）人： | 豆維江;秦應雄;徐挺;孫當民;王寶磊;李小玄;張凱 | 申請（專利權）人： | 西安黃河光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0216 | 分類號： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人： | 顧潮琪 |
| 地址： | 710043 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 無鋁背場 鈍化 太陽能 電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，包括正面電極主柵、正面電極細柵、正面減反膜和帶PN結的P型硅片，其特征在于：硅片背面有背面鈍化層，背面鈍化層上印刷背面電極主柵和背面電極細柵，背面電極主柵和背面電極細柵穿透背面鈍化層，與硅片背面實現金屬連接導通。?
2.根據權利要求1所述的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，其特征在于：所述的硅片背面拋光。?
3.根據權利要求1所述的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，其特征在于：所述的背面鈍化層是單層電介質鈍化膜，是二氧化硅膜、三氧化二鋁膜、氮化硅膜中的任意一種，厚度為30~100nm。?
4.根據權利要求1所述的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，其特征在于：所述的背面鈍化層是雙層電介質鈍化膜，里層電介質鈍化膜為二氧化硅膜和三氧化二鋁膜中的一種，厚度為5~20nm，外層電介質鈍化膜為氮化硅膜，厚度為20~150nm。?
5.根據權利要求1所述的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，其特征在于：所述的背面電極主柵為分段中心鏤空結構，背面電極主柵漿料為銀漿或銀鋁漿。?
6.根據權利要求1所述的無鋁背場的背鈍化太陽能晶硅電池，其特征在于：所述的背面電極細柵漿料為銀鋁漿。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
