[實用新型]一種高壓發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201220399415.7
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN202736964U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 程素芬
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L25/075
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

技術領域

本實用新型涉及半導體照明技術領域，特別涉及一種高壓發光二極管芯片。

背景技術

發光二極管芯片是一種能夠將電能轉化為可見光的固態的半導體器件，是目前最優前景的新一代光源，廣泛應用于人們的日常生活中。現有的發光二極管芯片為了提高發光亮度，一般會增大芯片的面積，提高注入電流。但如果其P、N電極設計稍有不平衡，這樣的發光二極管芯片就會產生電流的叢聚效應，從而降低其發光效率和可靠性。

現有技術中，通過在發光二極管芯片上刻蝕用于將芯片分割成多個相互隔離的子芯片的隔離槽，該隔離槽刻蝕至芯片的襯底層；隔離槽中填充有絕緣物質，以形成絕緣層；絕緣層上面平滑鋪設有將各個子芯片連接起來的電氣連接結構，從而使電流均勻擴展，避免了電流的叢聚效應。

在實現本實用新型的過程中，發明人發現現有技術至少存在以下問題：

現有技術中，隔離槽的側壁即為子芯片的側壁，該側壁與襯底層的表面近似垂直，降低了子芯片側壁的利用率，同時也不利于絕緣層和電氣連接結構的平滑鋪設，容易造成子芯片間的短路或斷路，降低了芯片的可靠性。

實用新型內容

為了提高芯片的利用率，增強芯片的可靠性，本實用新型實施例提供了一種高壓發光二極管芯片。所述技術方案如下：

本實用新型實施例提供了一種高壓發光二極管芯片，所述芯片包括：

襯底層、依次層疊在所述襯底層上的第一半導體層、發光層、第二半導體層和透明導電層，所述芯片上設有凹槽，所述凹槽從所述透明導電層延伸至所述第一半導體層，所述凹槽內設有用于將所述芯片分割成多個子芯片的隔離槽，所述隔離槽從所述第一半導體層延伸至所述襯底層，所述芯片上還設有第一電極、第二電極和電氣連接結構，所述第一電極設于所述透明導電層上，所述第二電極設于所述凹槽的所述第一半導體層上，所述電氣連接結構將一個所述子芯片的透明導電層與另一個所述子芯片的第一半導體層連接，所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為15～45度，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為40～60度。

優選地，所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為30度。

優選地，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為45度。

優選地，所述第一電極和所述第二電極分布在所述芯片的對角上。

優選地，每個所述子芯片之間相互串聯。

優選地，每個所述子芯片的發光區面積相同。

可選地，所述子芯片11的數量為2～17顆。

可選地，所述芯片為正方形。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：通過使隔離槽的側壁與襯底層的頂面之間形成光滑的銳角為40～60度，有利于隔離槽內后期透明導電層的完全去除，防止了短路，從而提高了芯片的可靠性，并且增大了子芯片側壁出光的面積，從而增加了芯片側面的出光效果，提高了光的提取效率和發光亮度。同時在凹槽的側壁與第一半導體層的頂面之間以及隔離槽的側壁與襯底層的頂面之間形成一定的角度，有利于絕緣層和電氣連接結構的平滑鋪設，避免子芯片間的短路和短路。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例中提供的一種高壓發光二極管芯片的結構示意圖；

圖2是本實用新型實施例中提供的一種高壓發光二極管芯片的部分截面示意圖。

附圖中，各標號所代表的組件列表如下：

1襯底層；21第一半導體層；22發光層；23第二半導體層；3凹槽；4隔離槽；5絕緣層；6透明導電層；71第一電極；72第二電極；73電氣連接結構；10芯片；11子芯片。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。

實施例

參見圖1和圖2，本實用新型實施例提供了一種高壓發光二極管芯片10，該芯片10包括：