[實用新型]一種高壓發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201220399415.7
• 申請日: 2012-08-13
• 公開（公告）號: CN202736964U
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發明（設計）人: 程素芬
• 申請（專利權）人: 華燦光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L25/075
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種高壓發光二極管芯片，所述芯片包括襯底層、依次層疊在所述襯底層上的第一半導體層、發光層、第二半導體層和透明導電層，所述芯片上設有凹槽，所述凹槽從所述透明導電層延伸至所述第一半導體層，所述凹槽內設有用于將所述芯片分割成多個子芯片的隔離槽，所述隔離槽從所述第一半導體層延伸至所述襯底層，所述芯片上還設有第一電極、第二電極和電氣連接結構，所述第一電極設于所述透明導電層上，所述第二電極設于所述凹槽的所述第一半導體層上，所述電氣連接結構將一個所述子芯片的透明導電層與另一個所述子芯片的第一半導體層連接，其特征在于，

所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為15～45度，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為40～60度。

2.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述凹槽的側壁與所述第一半導體層的頂面之間的銳角為30度。

3.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述隔離槽的側壁與所述襯底層的頂面之間的銳角為45度。

4.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一電極和所述第二電極分布在所述芯片的對角上。

5.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，每個所述子芯片之間相互串聯。

6.如權利要求1所述的芯片，其特征在于，每個所述子芯片的發光區面積相同。

7.如權利要求1-6任一項所述的芯片，其特征在于，所述子芯片的數量為2～17顆。

8.如權利要求1-6任一項所述的芯片，其特征在于，所述芯片為正方形。