[實用新型]一種貼片雙向觸發二極管芯片

有效

• 申請號: 201220384325.0
• 申請日: 2012-08-04
• 公開（公告）號: CN202996842U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 韓建軍
• 申請（專利權）人: 濟南硅銀電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/43
• 代理公司: 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411
• 代理人: 鄭自群

技術領域

本實用新型涉及雙向觸發二極管芯片技術領域，特別是指一種貼片雙向觸發二極管芯片。

背景技術

雙向觸發二極管DB3已被大量使用在節能燈、電子鎮流器、固態繼電器、可控硅控制等電子產品中，僅國內市場使用量在每年5000億支以上。

現有市場上的DB3都是軸向封裝DB3，不符合電子產品小型化的發展趨勢，且產品存在一定的缺陷：如進口玻封DB3的價格高、交期長、供貨不及時、抗浪涌能力稍差；國產塑封DB3的抗浪涌能力較好，但高溫特性較差，擊穿電壓不穩。國產玻封DB3的抗浪涌能力差，不適合環境惡劣情況下使用的產品。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種貼片雙向觸發二極管芯片，用以解決現有雙向觸發二極管存在抗浪涌能力較差、高溫特性較差的問題。

本實用新型實施例提供了一種貼片雙向觸發二極管芯片，包括：

硅片，所述硅片的兩個表面上分別開設有位置對應的隔離槽，所述隔離槽包圍有對所述硅片擴磷后形成的PN結，所述隔離槽的深度大于擴磷深度；

所述隔離槽上覆蓋有保護膜；

所述PN結上設置有引線孔和鍍金的金屬電極。

其中，優選地，所述擴磷深度與所述硅片厚度之比的取值范圍為[1/4，1/2]。

其中，優選地，所述擴磷深度與所述硅片厚度之比具體為1/3。

其中，優選地，所述保護膜具體為SiO₂保護膜。

其中，優選地，所述金屬電極具體為鎳金屬電極。

本實用新型實施例中的貼片DB3具有抗浪涌能力高、高溫特性好、低溫穩定性好、可靠性高、成本較低的優點，而且，體積小、調整余地大，是市場上分立器件小型化的發展方向。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實用新型實施例中貼片雙向觸發二極管芯片的平面結構示意圖；

圖2為圖1中貼片雙向觸發二極管芯片的剖面結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。

如圖1和圖2所示，本實用新型實施例提供了一種貼片雙向觸發二極管芯片，包括：

硅片1，硅片1的兩個表面上分別開設有位置對應的隔離槽2，隔離槽2包圍有對硅片1擴磷后形成的PN結3，隔離槽2的深度大于擴磷深度；

隔離槽2上覆蓋有保護膜4；

PN結3上設置有引線孔5和鍍金的金屬電極6。

其中，優選地，擴磷深度與硅片1的厚度之比的取值范圍為[1/4，1/2]。較優地，擴磷深度與硅片1的厚度之比具體為1/3。

其中，優選地，金屬電極6具體為鎳金屬電極。

其中，優選地，保護膜4具體為SiO₂保護膜。

本實用新型實施例提供的上述貼片雙向觸發二極管芯片的制作流程可概括為：

硅片清洗—>高溫雙面擴磷—>泡酸分割—>雙面氧化—>雙面光刻—>混酸開槽—>雙面涂玻璃膏—>燒玻璃—>引線孔光刻—>一次鍍鎳—>燒鎳—>二次鍍鎳—>鍍金—>劃片裂片—>后封裝—>測試出廠。

上述流程具體如下所述：

步驟1、硅片清洗：用化學試劑及純水將硅片清洗干凈，準備投產。

步驟2、高溫雙面擴磷：用高溫擴散爐將磷擴入硅片中，形成PN結，要注意擴散的深度。

其中，優選地，擴磷深度與硅片的厚度之比的取值范圍為[1/4，1/2]。較優地，擴磷深度與硅片的厚度之比具體為1/3。

步驟3、泡酸分割：用HF泡擴散后的硅片（高溫擴散后許多硅片粘在一起），將粘在一起的硅片分開。

步驟4、雙面氧化：用高溫爐通氧氣，在硅片的兩個表面上分別生長出一層SiO₂保護膜.

步驟5、雙面光刻：用光刻機在硅片表面刻出芯片圖形。

步驟6、混酸開槽：用混合酸在硅片表面按刻好的圖形腐蝕出隔離槽，開槽的深度一定要大于PN結的深度。