[實用新型]一種貼片雙向觸發(fā)二極管芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220384325.0 | 申請日: | 2012-08-04 |
| 公開(公告)號: | CN202996842U | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 韓建軍 | 申請(專利權(quán))人: | 濟南硅銀電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/861 | 分類號: | H01L29/861;H01L29/43 |
| 代理公司: | 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 鄭自群 |
| 地址: | 250061 山東省濟南市濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雙向 觸發(fā) 二極管 芯片 | ||
1.一種貼片雙向觸發(fā)二極管芯片,其特征在于,包括:
硅片,所述硅片的兩個表面上分別開設(shè)有位置對應(yīng)的隔離槽,所述隔離槽包圍有對所述硅片擴磷后形成的PN結(jié),所述隔離槽的深度大于擴磷深度;
所述隔離槽上覆蓋有保護膜;
所述PN結(jié)上設(shè)置有引線孔和鍍金的金屬電極。
2.如權(quán)利要求1所述的貼片雙向觸發(fā)二極管芯片,其特征在于,
所述擴磷深度與所述硅片厚度之比的取值范圍為[1/4,1/2]。
3.如權(quán)利要求2所述的貼片雙向觸發(fā)二極管芯片,其特征在于,
所述擴磷深度與所述硅片厚度之比具體為1/3。
4.如權(quán)利要求1-3中任一所述的貼片雙向觸發(fā)二極管芯片,其特征在于,
所述保護膜具體為SiO2保護膜。
5.如權(quán)利要求1-3中任一所述的貼片雙向觸發(fā)二極管芯片,其特征在于,
所述金屬電極具體為鎳金屬電極。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的





