[實用新型]陣列基板檢測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220375637.5 | 申請日： | 2012-07-30 |
| 公開（公告）號： | CN202677017U | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 閻長江;龍君;李田生;徐少穎;謝振宇 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/13 | 分類號： | G02F1/13;G01R31/02 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 檢測 裝置 | ||
1.一種陣列基板檢測裝置，其特征在于，包括：探針，所述探針中用于檢測陣列基板的尖端在第一溫度下的橫截面積與在第二溫度下的橫截面積不同，除所述尖端的所述探針的另一端與連接設(shè)備相連接，并通過所述連接設(shè)備固定在所述裝置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板檢測裝置的方法，其特征在于，所述探針的材料為形狀記憶合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，所述裝置還包括溫度控制設(shè)備，所述溫度控制設(shè)備與所述另一端相連接，用于控制所述探針的溫度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，所述尖端在所述第一溫度下的橫截面積為第一面積，所述尖端在所述第二溫度下的橫截面積為第二面積，所述溫度控制設(shè)備控制所述探針從第一溫度變化到所述第二溫度時，所述尖端的橫截面積逐漸從所述第一面積變?yōu)樗龅诙娣e，或者，所述溫度控制設(shè)備控制所述探針從第二溫度變化到所述第一溫度時，所述尖端的橫截面積逐漸從所述第二面積變?yōu)樗龅谝幻娣e；所述第一面積與所述第二面積不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，在所述第一溫度下，所述探針的縱截面為三角形，或者，在所述第二溫度下，所述探針的縱截面為三角形，在所述裝置檢測所述陣列基板時，所述三角形中指向所述陣列基板的一個角的一端為所述尖端。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，在所述第二溫度下，所述探針的縱截面為四邊形。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，所述連接設(shè)備為中空的，所述溫度控制設(shè)備設(shè)置于所述連接設(shè)備的中空部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板檢測裝置，其特征在于，所述探針形狀為圓錐體，所述圓錐體的頂角為所述尖端。
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G02F 用于控制光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào)，上述器件或裝置的光學操作是通過改變器件或裝置的介質(zhì)的光學性質(zhì)來修改的；用于上述操作的技術(shù)或工藝；變頻；非線性光學；光學
G02F1-00 控制來自獨立光源的光的強度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置，例如，轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制；非線性光學
G02F1-01 .對強度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制，即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
