[實用新型]一種采用N型襯底的發光二極管有效
| 申請號： | 201220374252.7 | 申請日： | 2012-07-31 |
| 公開（公告）號： | CN202797055U | 公開（公告）日： | 2013-03-13 |
| 發明（設計）人： | 蔡建九;楊凱;林志偉;陳凱軒;林志園 | 申請（專利權）人： | 廈門乾照光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 廈門市誠得知識產權代理事務所(普通合伙) 35209 | 代理人： | 方惠春 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 襯底 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種采用N型襯底的發光二極管，包括N型GaAs襯底，其特征在于：在N型GaAs襯底上依次生長有N型GaAs緩沖層、布拉格反射層、N型下限制層、有源層、P型上限制層、P型電流擴展層、P型粗化層以及歐姆接觸層。
2.根據權利要求1所述的一種采用N型襯底的發光二極管，其特征在于：所述P型電流擴展層厚度為1～15um。
3.根據權利要求1所述的一種采用N型襯底的發光二極管，其特征在于：所述P型粗化層的厚度為0.3～5um。
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