[實用新型]一種新型二極管器件有效
| 申請號： | 201220362905.X | 申請日： | 2012-07-24 |
| 公開（公告）號： | CN203179899U | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發明（設計）人： | 王玨;蔡超峰;何敏 | 申請（專利權）人： | 杭州恩能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310027 浙江省杭州市文三*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 新型 二極管 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種新型二極管器件，其特征在于：包括：
溝道，由鄰近的相應類型的摻雜區構成，同時形成所需的勢壘高度，通過歐姆接觸形成二極管一端；
漂移區，由半導體材料構成，與溝道相連，并通過襯底和歐姆接觸獲得二極管另一端。
2.如權利要求1所述的一種新型二極管器件，其特征在于：所述二極管器件可以采用任意的半導體材料。
3.如權利要求1所述的一種新型二極管器件，其特征在于：所述二極管器件可以為P型二極管或N型二極管。
4.如權利要求1所述的一種新型二極管器件，其特征在于：所述的半導體溝道，可以為垂直型、橫向型、傾斜型結構，其中的摻雜可以為一致性摻雜或非一致性摻雜。
5.如權利要求1所述的一種新型二極管器件，其特征在于：所述的半導體漂移區，可以包含或不包含電場截止層。?
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