[實用新型]一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件

有效

• 申請號: 201220352270.5
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN202772139U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 曾大杰;余庭;趙一兵;張耀輝
• 申請（專利權）人: 昆山華太電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

技術領域

本實用新型屬于電子技術領域，具體涉及一種擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件。

背景技術

LDMOS?(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件與晶體管相比，在關鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關性能、散熱性能以及減少級數等方面優勢很明顯，因此其被廣泛的用于射頻、微波領域的功率放大器中。RF-LDMOS擊穿電壓和RF-LDMOS的截止頻率（f_T）是一個折衷關系，高的擊穿電壓是以降低RF-LDMOS的f_T為代價的，而低的擊穿電壓能夠提高RF-LDMOS的f_T。為了能夠讓RF-LDMOS輸出更高的功率，通常漏端的電壓都固定在28伏特。高的擊穿電壓降低了RF-LDMOS工作的頻率，現在RF-LDMOS的工作頻率一般都小于3GHz。有的時候用戶希望RF-LDMOS能同時工作在一段很寬的頻率范圍，能夠同時工作在較低的工作頻率和較高的工作頻率。但是，又不希望為了提高RF-LDMOS的截止頻率，而損害RF-LDMOS在較低工作頻率下的擊穿電壓，從而降低輸出功率。因此，如何讓RF-LDMOS器件能夠根據RF-LDMOS工作的頻率來自動改變它的擊穿電壓是亟待解決的問題。

實用新型內容

本實用新型提供了一種解決上述問題的方案，提供一種工作頻率寬，且擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件。

本實用新型的技術方案是提供一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其包括襯底，所述襯底上設置有源極和漏極，所述源極和漏極之間通過溝道連接在一起，所述溝道上設置有柵極，所述柵極和所述溝道之間設置有氧化層，所述漏極包括漂移區，其特征在于：所述漂移區上設置有至少一個場板，所述場板和所述漂移區之間設置有絕緣層，所述場板和所述源極之間絕緣，所述場板的電壓可以調節。

優選的，所述漂移區上設置一個所述場板，所述絕緣層遠離所述源極一側部分的厚度比靠近所述源極一側部分的厚度厚，兩部分之間設置有弧形過渡區。

優選的，所述漂移區上設置有兩個所述場板，兩個所述場板之間互不連接，且各自電壓分開調節。

優選的，所述漂移區上設置有三個所述場板，三個所述場板之間互不連接，且各自電壓分開調節。

優選的，所述襯底為SOI襯底，SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）襯底是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。

本實用新型的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件通過調節場板上的電壓，從而實現擊穿電壓能夠根據所需要工作的頻率進行動態的調整。當器件工作在較低的頻率，需要提供較大的輸出功率的時候，可以提高器件的擊穿電壓。當器件工作在較高的頻率，需要提高截止頻率來保證足夠的增益的時候，可以降低器件的擊穿電壓。

附圖說明

圖1是本實用新型第一最佳實施例的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的剖面結構示意圖；

圖2是本實用新型第二最佳實施例的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的剖面結構示意圖；

圖3是本實用新型第三最佳實施例的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的剖面結構示意圖；

圖4是本實用新型第四最佳實施例的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的剖面結構示意圖；

圖5是本實用新型第四最佳實施例的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的的第二種結構；

圖6是本實用新型的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件封裝的一種結構示意圖；

圖7是本實用新型的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件封裝的第二種結構示意圖;

圖8是本實用新型的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件的工作原理圖。

具體實施方式

下面以N型RFLDMOS為例對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細的描述，對于P型RFLDMOS，同理可得。