[實用新型]一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件

有效

• 申請號: 201220352270.5
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN202772139U
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 曾大杰;余庭;趙一兵;張耀輝
• 申請（專利權）人: 昆山華太電子技術有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/40
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其包括襯底，所述襯底上設置有源極和漏極，所述源極和漏極之間通過溝道連接在一起，所述溝道上設置有柵極，所述柵極和所述溝道之間設置有氧化層，所述漏極包括漂移區，其特征在于：所述漂移區上設置有至少一個場板，所述場板和所述漂移區之間設置有絕緣層，所述場板和所述源極之間絕緣，所述場板的電壓可以調節。

2.根據權利要求1所述的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區上設置一個所述場板，所述絕緣層遠離所述源極一側部分的厚度比靠近所述源極一側部分的厚度厚，兩部分之間設置有弧形過渡區。

3.根據權利要求1所述的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區上設置有兩個所述場板，兩個所述場板之間互不連接，且各自電壓分開調節。

4.根據權利要求1所述的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區上設置有三個所述場板，三個所述場板之間互不連接，且各自電壓分開調節。

5.根據權利要求1至4其中之一所述的一個擊穿電壓可以調整RF-LDMOS器件，其特征在于：所述襯底為SOI襯底。