[實用新型]防溢出式晶體硅太陽能組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220352225.X
• 申請日: 2012-07-20
• 公開（公告）號: CN202721155U
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發(fā)明（設計）人: 陳杰;王懷松;徐建禮;許明江
• 申請（專利權(quán)）人: 中利騰暉光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/048
• 分類號: H01L31/048
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種太陽能組件，尤其涉及一種防溢出式晶體硅太陽能組件。

背景技術(shù)

目前行業(yè)內(nèi)，EVA及背板的尺寸普遍都比鋼化玻璃尺寸大，導致組件在層壓后又較多的EVA殘留在玻璃及背板表面。這樣，造成組件的清潔度受到嚴重影響。為此，員工需要用力擦拭組件表面及背面，使用鋼絲球及刀片。這樣，在組件表面容易造成劃傷及擦拭時用力不當，容易導致組件內(nèi)部隱裂，影響組件質(zhì)量。再者，層壓后多出的背板及EVA需要專人切除，造成人工及原材料成本的浪費。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的以上問題，提供一種防溢出式晶體硅太陽能組件。

為實現(xiàn)本實用新型的目的防溢出式晶體硅太陽能組件，包括有背板組件，其中：所述的背板組件上堆疊有鋼化玻璃層，所述的鋼化玻璃層上分布有EVA層，所述的EVA層上設置有電池串組，所述的背板組件與鋼化玻璃層的外形規(guī)格一致，所述EVA層的外框與鋼化玻璃層的外框之間設置有防溢通道。

進一步地，上述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其中，所述防溢通道的寬度為1至5mm。

更進一步地，上述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其中，所述防溢通道的寬度為3mm。

更進一步地，上述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其中，所述的背板組件外圍設置有防溢圍擋。

再進一步地，上述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其中，防溢圍擋高度為1至2mm。

采用本實用新型技術(shù)方案，依托于防溢通道的存在，能夠有效容納EVA材質(zhì)的溢出。同時，能夠有效免去割邊及清洗擦除的工作，提高了生產(chǎn)效率，減少了不必要的人力投入成本。再者，由于避免了EVA材質(zhì)溢出，可以提升產(chǎn)品的整體美觀清潔程度。

本實用新型的目的、優(yōu)點和特點，將通過下面優(yōu)先實施例的非限制性說明進行圖示和解釋，這些實施例是參照附圖僅作為例子給出的。

附圖說明

圖1是EVA層與鋼化玻璃層的結(jié)合示意圖。

1鋼化玻璃層????????????2EVA層

3防溢通道

具體實施方式

如圖1所示的防溢出式晶體硅太陽能組件，包括有背板組件，其特別之處在于：本實用型新所采用的背板組件上堆疊有鋼化玻璃層1。具體來說，該鋼化玻璃層1上分布有EVA?層2。同時，考慮到電傳導的需要，在EVA層2上設置有電池串組。并且，為了實現(xiàn)整體的一致性，便于流水線的生產(chǎn)裝配，背板組件與鋼化玻璃層1的外形規(guī)格一致。再者，為了有效實現(xiàn)整體的EVA層2防外溢效果，在EVA層2的外框與鋼化玻璃層1的外框之間設置有防溢通道3。

結(jié)合本實用新型一較佳的實施方式來看，采用的溢通道的寬度為1至5mm。當然，通過多次對比試驗發(fā)現(xiàn)，對于現(xiàn)有的太陽能組件來說，防溢通道3的寬度為3mm即可。換句話說，實現(xiàn)EVA層2的居中放置，其距離鋼化玻璃層1的長短邊的距離均為3mm。

進一步來看，考慮到能夠有效鞏固防溢的效果，采用的背板組件外圍可以設置有防溢圍擋。當然，其可以采用的防溢圍擋高度為1至2mm。

從本實用新型的實施過程來看，本實用型新在層壓時，由于EVA層2的EVA材質(zhì)受熱熔化，同時在層壓機中有抽真空及上腔的壓力存在，使熔化的EVA材質(zhì)能夠?qū)⒃揪嚯x玻璃邊緣空缺的部分填充完成，并不會造成EVA材質(zhì)過多的溢出。并且，層壓后的部件因為背板組件與鋼化玻璃層1尺寸相同，而且沒有過多的EVA材質(zhì)溢出，因此無需進行割邊及清洗擦除工作，同時也減少了因為擦拭不當對組件造成的損傷。

通過上述的文字表述并結(jié)合附圖可以看出，采用本實用新型后，依托于防溢通道的存在，能夠有效容納EVA材質(zhì)的溢出。同時，能夠有效免去割邊及清洗擦除的工作，提高了生產(chǎn)效率，減少了不必要的人力投入成本。再者，由于避免了EVA材質(zhì)溢出，可以提升產(chǎn)品的整體美觀清潔程度。

當然，以上僅是本實用新型的具體應用范例，對本實用新型的保護范圍不構(gòu)成任何限制。除上述實施例外，本實用新型還可以有其它實施方式。凡采用等同替換或等效變換形成的技術(shù)方案，均落在本實用新型所要求保護的范圍之內(nèi)。