[實用新型]防溢出式晶體硅太陽能組件有效
| 申請號： | 201220352225.X | 申請日： | 2012-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN202721155U | 公開（公告）日： | 2013-02-06 |
| 發明（設計）人： | 陳杰;王懷松;徐建禮;許明江 | 申請（專利權）人： | 中利騰暉光伏科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/048 | 分類號： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215542 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溢出 晶體 太陽能 組件 | ||
【權利要求書】：
1.防溢出式晶體硅太陽能組件，包括有背板組件，其特征在于：所述的背板組件上堆疊有鋼化玻璃層，所述的鋼化玻璃層上分布有EVA層，所述的EVA層上設置有電池串組，所述的背板組件與鋼化玻璃層的外形規格一致，所述EVA層的外框與鋼化玻璃層的外框之間設置有防溢通道。
2.根據權利要求1所述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其特征在于：所述防溢通道的寬度為1至5mm。
3.根據權利要求2所述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其特征在于：所述防溢通道的寬度為3mm。
4.根據權利要求1所述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其特征在于：所述的背板組件外圍設置有防溢圍擋。
5.根據權利要求1所述的防溢出式晶體硅太陽能組件，其特征在于：防溢圍擋高度為1至2mm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
