[實用新型]微波爐及其半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220348541.X | 申請日: | 2012-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN202733982U | 公開(公告)日: | 2013-02-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳超;李志剛;曾銘志 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東格蘭仕微波爐電器制造有限公司 |
| 主分類號: | F24C7/02 | 分類號: | F24C7/02;F24C7/06;H05B6/72 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 曾旻輝 |
| 地址: | 528305 廣東省佛*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微波爐 及其 半導體 微波 發(fā)生器 天線 連接 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其包括半導體微波發(fā)生器以及天線,該半導體微波發(fā)生器設(shè)有微波出口,其特征在于:其還包括陶瓷環(huán),該天線穿過陶瓷環(huán),天線的一端插入微波出口與半導體微波發(fā)生器連接,該天線的另一端設(shè)置有天線頭,天線頭外設(shè)有天線帽,該半導體微波發(fā)生器與該陶瓷環(huán)之間設(shè)置有緊固件。
2.如權(quán)利要求1所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該緊固件包括有固定塊,該固定塊上設(shè)有穿孔,固定塊固定在該半導體微波發(fā)生器的微波出口處,該天線穿過固定塊的穿孔。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該固定塊朝向微波出口的一側(cè)設(shè)有凸臺。
4.如權(quán)利要求3所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該固定塊與半導體微波發(fā)生器之間焊接固定或螺釘固定或鉚接固定。
5.如權(quán)利要求3所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該固定塊的穿孔處設(shè)置一個隔離環(huán),天線穿過該隔離環(huán),隔離環(huán)將該固定塊與天線之間隔離,該隔離環(huán)為非金屬材質(zhì)。
6.如權(quán)利要求3所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該緊固件還包括在該固定塊另一側(cè)設(shè)置的固定板,該固定板的尺寸大于固定塊的尺寸。
7.如權(quán)利要求6所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該固定塊與固定板之間通過螺釘固定連接。
8.如權(quán)利要求6所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該緊固件還包括固定環(huán),該陶瓷環(huán)通過固定環(huán)與固定板連接。
9.如權(quán)利要求8所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該固定環(huán)是半徑大小軸向漸變的環(huán)狀。
10.如權(quán)利要求6所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:在固定塊與固定板之間設(shè)有環(huán)狀的銅網(wǎng),固定板上設(shè)有銅網(wǎng)裝配孔,該銅網(wǎng)裝配孔的尺寸小于銅網(wǎng)的外徑,該銅網(wǎng)通過固定塊與固定板之間壓緊固定。
11.如權(quán)利要求1~10任一項所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該天線與半導體微波發(fā)生器的微波發(fā)生源焊接固定。
12.如權(quán)利要求1~10任一項所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:該微波出口設(shè)置在半導體微波發(fā)生器的四周或底部。
13.如權(quán)利要求2~10任一項所述的半導體微波發(fā)生器與天線的連接結(jié)構(gòu),其特征在于:所述半導體微波發(fā)生器外設(shè)置有傳熱屏蔽罩底座和傳熱屏蔽罩上蓋,半導體微波發(fā)生器的上、下端面分別與傳熱屏蔽罩上蓋及傳熱屏蔽罩底座固定連接,該固定塊固定在傳熱屏蔽罩上蓋及傳熱屏蔽罩底座上。
14.一種微波爐,包括微波爐腔體及其腔體上的波導口,通過波導盒與波導口連接的半導體微波發(fā)生器,與半導體微波發(fā)生器電連接的直流電源,其特征在于:所述半導體微波發(fā)生器與天線之間采用如權(quán)利要求1~13任一項所述的連接結(jié)構(gòu)相連接,微波通過所述天線接入波導盒。
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