[實用新型]氣相沉積裝置有效
| 申請號: | 201220338482.8 | 申請日: | 2012-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN202808936U | 公開(公告)日: | 2013-03-20 |
| 發明(設計)人: | 俆祥準;許明洙;金勝勛;金鎮壙;宋昇勇 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/50;C23C16/455;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 韓明星 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積 裝置 | ||
1.一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積裝置,其特征在于所述氣相沉積裝置包括:
室,具有排放口;
架臺,設置在室內,并包括被構造成將基底安裝在其上的安裝表面;
注入部分,具有至少一個注入開口,通過所述至少一個注入開口沿與基底的將形成有薄膜的表面平行的方向注入氣體;
等離子體發生器,設置成與基底分開并面向基底。
2.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發生器包括:
供應部分,經供應部分注入反應氣體;
第一等離子體電極;
第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開;
出口。
3.根據權利要求2所述的氣相沉積裝置,其特征在于,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間產生等離子體,并且經出口向基底釋放等離子體。
4.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發生器包括多個模塊,其中,所述多個模塊中的每個模塊包括:
供應部分,經供應部分注入反應氣體;
第一等離子體電極;
第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開;
出口。
5.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發生器被設置成與基底平行。
6.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發生器具有與基底的尺寸相同的尺寸以對應于基底,或者等離子體發生器比基底大。
7.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述氣相沉積裝置還包具有孔的掩模,所述掩模將薄膜以期望的圖案沉積在基底上,
其中,掩模設置在基底上。
8.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,架臺包括多個安裝表面,所述多個基底將被分別設置在所述多個安裝表面上。
9.根據權利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個安裝表面設置成相互平行。
10.根據權利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個安裝表面分別位于架臺的第一表面和架臺的與第一表面相對的第二表面上。
11.根據權利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,多個等離子體發生器被設置成與設置在所述多個安裝表面上的所述多個基底對應。
12.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述氣相沉積裝置還包括驅動架臺和等離子體發生器的驅動器,驅動器被構造為使等離子體發生器和安裝在架臺上的基底在室內移動。
13.根據權利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅動器被構造成使架臺和等離子體發生器移動,從而使安裝在架臺上的基底沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向移動。
14.根據權利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅動器被構造為做往復運動。
15.根據權利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅動器被構造為使架臺和等離子體發生器并發地移動。
16.根據權利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅動器包括:
第一驅動器,使架臺移動;
第二驅動器,使等離子體發生器移動。
17.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,安裝表面設置成與重力作用的方向平行。
18.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分設置成比架臺遠離地面。
19.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,排放口連接到泵。
20.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分的至少一個注入開口是注入源氣的出口。
21.根據權利要求20所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分的至少一個注入開口是經其將反應氣體提供到等離子體發生器的出口。
22.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,排放口設置成比基底更靠近地面。
23.根據權利要求1所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分包括多個注入孔,所述多個注入孔沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向相互分開設置,從而對基底執行若干次沉積工藝。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





