[實用新型]一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220333824.7
• 申請日: 2012-07-11
• 公開（公告）號: CN202712187U
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 方英嬌;方明
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫來燕微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/423
• 代理公司: 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所 32104
• 代理人: 曹祖良

1.一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，包括半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干用于存儲的記憶體細(xì)胞（100）；所述記憶體細(xì)胞（100）包括PMOS訪問晶體管（110）、控制電容（120）及編程電容（130）；其特征是：所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的上部設(shè)有若干隔離溝槽（10），所述隔離溝槽（10）內(nèi)設(shè)置有隔離介質(zhì)以形成領(lǐng)域介質(zhì)區(qū)域（14）；記憶體細(xì)胞（100）內(nèi)的PMOS訪問晶體管（110）、控制電容（120）及編程電容（130）通過領(lǐng)域介質(zhì)區(qū)域（14）相互隔離；半導(dǎo)體基板的第一主面（32）上淀積有柵介質(zhì)層（15），所述柵介質(zhì)層（15）覆蓋隔離溝槽（10）的槽口并覆蓋半導(dǎo)體基板的第一主面（32）；PMOS訪問晶體管（110）、編程電容（130）兩側(cè)隔離溝槽（10）的頂角（30）正上方均設(shè)置P+浮柵電極（20），所述P+浮柵電極（20）位于柵介質(zhì)層（15）上，并與相應(yīng)隔離溝槽（10）的頂角（30）相對應(yīng)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述P+浮柵電極（20）為P導(dǎo)電類型的導(dǎo)電多晶硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述控制電容（120）兩側(cè)隔離溝槽（10）的頂角（30）正上方設(shè)置P+浮柵電極（20），所述P+浮柵電極（20）與控制電容（120）兩側(cè)隔離溝槽（10）的頂角（30）相對應(yīng)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述半導(dǎo)體基板的材料包括硅，半導(dǎo)體基板為P導(dǎo)電類型基板（1）或N導(dǎo)電類型基板（39）；所述半導(dǎo)體基板為P導(dǎo)電類型基板（1）時，所述PMOS訪問晶體管（110）、控制電容（120）及編程電容（130）通過P型導(dǎo)電類型基板（1）內(nèi)的第二N型區(qū)域（3）及第二N型區(qū)域（3）上方的第三N型區(qū)域（4）與P型導(dǎo)電類型基板（1）相隔離。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述柵介質(zhì)層（15）上設(shè)有浮柵電極（16），所述浮柵電極（16）覆蓋并貫穿PMOS訪問晶體管（110）、控制電容（120）及編程電容（130）上方對應(yīng)的柵介質(zhì)層（15），浮柵電極（16）的兩側(cè)淀積有側(cè)面保護層（17），側(cè)面保護層（17）覆蓋浮柵電極（16）的側(cè)壁；PMOS訪問晶體管（110）包括第一N型區(qū)域（2）及位于所述第一N型區(qū)域（2）內(nèi)上部的P型源極區(qū)（13）與P型漏極區(qū)（21），控制電容（120）包括第二P型區(qū)域（5）及位于所述第二P型區(qū)域（5）內(nèi)上部的第一P型摻雜區(qū)域（6）與第二P型摻雜區(qū)域（9）；編程電容（130）包括第三P型區(qū)域（31）及位于所述第三P型區(qū)域（31）內(nèi)上部的第五P型摻雜區(qū)域（24）與第六P型摻雜區(qū)域（27）；第一P型摻雜區(qū)域（6）、第二P型摻雜區(qū)域（9）、第五P型摻雜區(qū)域（24）、第六P型摻雜區(qū)域（27）、P型源極區(qū)（13）及P型漏極區(qū)（21）與上方的浮柵電極（16）相對應(yīng)，并分別與相應(yīng)的柵介質(zhì)層（15）及領(lǐng)域介質(zhì)區(qū)域（14）相接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述柵介質(zhì)層（15）的材料包括二氧化硅；所述側(cè)面保護層（17）為氮化硅或二氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述一種提高數(shù)據(jù)存儲時間的非揮發(fā)性記憶體，其特征是：所述浮柵電極（16）的材料包括N導(dǎo)電類型的導(dǎo)電多晶硅。