[實用新型]磁控共濺射鍍膜機

有效

• 申請號: 201220326833.3
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN202688424U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 梁進智;陳畑畑
• 申請（專利權）人: 北京奧依特科技有限責任公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及磁控共濺射鍍膜機，屬于磁控濺射技術領域。

背景技術

現有的磁控射鍍膜機，由于結構性不足，大都只一條生產線上只具有單獨的濺射靶對應進行濺射鍍膜生，不能實現多靶切換，不支持連續濺射鍍膜生產的作業過程。同時由于射頻清洗作業和濺射鍍膜作業使用多個射頻電源，但實際中射頻電源的使用效率較低，進一步增加了設備的實用和維護成本。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種磁控共濺射鍍膜機，能夠實現持連續濺射鍍膜生產的作業過程，同時能減低設備的實用和維護成本。

本實用新型的目的是通過以下技術方案來實現的：磁控共濺射鍍膜機，包括機架、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護措施的自動控制系統，它還包括安裝在機架上的雙室高真空裝置和送樣片裝置，雙室高真空裝置由左側的送樣室、右側的磁控濺射室以及連接送樣室和磁控濺射室的真空鎖組成，送樣片裝置包括安裝在機架上的送取片機構、由驅動氣缸帶動的機械手、磁控濺射室中的樣片頂升機構和可旋轉樣片臺，可旋轉樣片臺位于樣片頂升機構上且與機械手相連，磁控濺射室的頂部安裝有磁控濺射靶，磁控濺射室的內部還設置有有樣片旋轉機構以及加熱機構，送樣室為上開蓋結構，送樣室的上蓋上設置有射頻等離子清洗裝置，磁控濺射靶與射頻等離子清洗裝置通過電源切換器與電源裝置連接。

所述的機架上還安裝了自偏壓裝置和報警裝置。

所述的真空鎖由旋轉氣缸控制。

所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。

所述的磁控濺射靶的數量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室的頂部。

所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。

所述的自動控制系統中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。

所述的磁控濺射室上還設置有帶擋板的觀察窗。

本實用新型的有益效果在于：(1)送樣室上面的射頻清洗可以與濺射室共用一個射頻電源，同時通過電源切換器可以實現一個電源多用，節約了制造成本；(2)通過真空鎖可以實現濺射室始終保持真空狀態，從而提高了生產效率，減低了濺射鍍膜的工藝時間；(3)整個生產過程采用全自動控制方式，實現了真空系統自動化以及工藝過程自動化，提高了生產效率；(4)由射頻電源以及直流電源可以控制磁控濺射靶進行單獨濺射以及共濺射。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型的俯視示意圖。

其中，1-機架，2-雙室高真空裝置，3-送樣室，4-磁控濺射室，5-真空鎖，6-磁控濺射靶，7-樣片旋轉機構，8-加熱機構，9-上蓋，10-樣片頂升機構，11-送取片機構，12-機械手，13-射頻等離子清洗裝置，14-可旋轉樣片臺，15-報警裝置，16-自偏壓裝置，17-觀察窗。

具體實施方式

下面結合附圖進一步描述本實用新型的技術方案，但要求保護的范圍并不局限于所述。

如圖1、圖2，磁控共濺射鍍膜機，包括機架1、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護措施的自動控制系統，它還包括安裝在機架1上的雙室高真空裝置2和送樣片裝置，雙室高真空裝置2由左側的送樣室3、右側的磁控濺射室4以及連接送樣室3和磁控濺射室4的真空鎖5組成，送樣片裝置包括安裝在機架1上的送取片機構11、由驅動氣缸帶動的機械手12、磁控濺射室4中的樣片頂升機構10和可旋轉樣片臺14，可旋轉樣片臺14位于樣片頂升機構10上且與機械手12相連，磁控濺射室4的頂部安裝有磁控濺射靶6，磁控濺射室4的內部還設置有有樣片旋轉機構7以及加熱機構8，送樣室3為上開蓋結構，送樣室3的上蓋9上設置有射頻等離子清洗裝置13，磁控濺射靶6與射頻等離子清洗裝置13通過電源切換器與電源裝置連接，進而實現多靶切換。

所述的機架1上還安裝了自偏壓裝置16和報警裝置15，進而提高沉積速率和預警功能。

所述的真空鎖5由旋轉氣缸控制。

所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。

所述的磁控濺射靶6的數量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室4的頂部。

所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。

所述的自動控制系統中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。

所述的磁控濺射室4上還設置有帶擋板的觀察窗17，可以保證觀察窗17的長時間清潔。