[實用新型]磁控共濺射鍍膜機

有效

• 申請號: 201220326833.3
• 申請日: 2012-07-09
• 公開（公告）號: CN202688424U
• 公開（公告）日: 2013-01-23
• 發明（設計）人: 梁進智;陳畑畑
• 申請（專利權）人: 北京奧依特科技有限責任公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/56;C23C14/54
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.磁控共濺射鍍膜機，包括機架(1)、真空抽氣裝置、供氣裝置、電源裝置、溫控裝置、帶有安全保護措施的自動控制系統，其特征在于：它還包括安裝在機架(1)上的雙室高真空裝置(2)和送樣片裝置，雙室高真空裝置(2)由左側的送樣室(3)、右側的磁控濺射室(4)以及連接送樣室(3)和磁控濺射室(4)的真空鎖(5)組成，送樣片裝置包括安裝在機架(1)上的送取片機構(11)、由驅動氣缸帶動的機械手(12)、磁控濺射室(4)中的樣片頂升機構(10)和可旋轉樣片臺(14)，可旋轉樣片臺(14)位于樣片頂升機構(10)上且與機械手(12)相連，磁控濺射室(4)的頂部安裝有磁控濺射靶(6)，磁控濺射室(4)的內部還設置有有樣片旋轉機構(7)以及加熱機構(8)，送樣室(3)為上開蓋結構，送樣室(3)的上蓋(9)上設置有射頻等離子清洗裝置(13)，磁控濺射靶(6)與射頻等離子清洗裝置(13)通過電源切換器與電源裝置連接。

2.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的機架(1)上還安裝了自偏壓裝置(16)和報警裝置(15)。

3.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的真空鎖(5)由旋轉氣缸控制。

4.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的真空抽氣裝置由分子泵及真空泵組成。

5.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的磁控濺射靶(6)的數量至少為兩支且均勻分布在磁控濺射室(4)的頂部。

6.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的電源裝置包括直流電源和射頻電源。

7.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的自動控制系統中包含互鎖模塊、異常斷電自動記憶模塊以及自動工藝編程校檢模塊。

8.根據權利要求1所述的磁控共濺射鍍膜機，其特征在于：所述的磁控濺射室(4)上還設置有帶擋板的觀察窗(17)。