[實(shí)用新型]壓控振蕩器的偏置電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220325352.0
• 申請(qǐng)日: 2012-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN202663357U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 盛懷茂;陳敏強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 漢凌微電子(上海)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03B5/32
• 分類(lèi)號(hào): H03B5/32;G05F3/26
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 王江富

1.一種壓控振蕩器的偏置電路，偏置電路包括第一組電流鏡、第二組電流鏡；

所述第一組電流鏡包括第一MOS管、第二MOS管，第一MOS管、第二MOS管為類(lèi)型相同的晶體管；所述第二組電流鏡包括第三MOS管、第四MOS管，第三MOS管、第四MOS管為與第一MOS管、第二MOS管類(lèi)型相反的晶體管；所述第一MOS管的柵極、漏極及所述第二MOS管的柵極接基準(zhǔn)電流源，所述第一MOS管的源極和所述第二MOS管的源極接地；其特征在于：

所述第二組電流鏡還包括第五MOS管、第六MOS管和第七M(jìn)OS管，所述第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管為與第一MOS管、第二MOS管類(lèi)型相反的晶體管；

所述第五MOS管的柵極、漏極與所述第六MOS管的柵極及所述第二MOS管的漏極相連；所述第五MOS管的源極與所述第三MOS管的漏極、柵極以及所述第六MOS管的源極相連；所述第六MOS管的漏極與所述第四MOS管的柵極以及所述第七M(jìn)OS管的柵極相連；所述第七M(jìn)OS管的源極、漏極與所述第三MOS管的源極以及所述第四MOS管的源極接電源電壓；所述第四MOS管的漏極用于和壓控振蕩器相連。

2.如權(quán)利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

所述第七M(jìn)OS管的尺寸大于所述第四MOS管的尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

所述基準(zhǔn)電流源為帶隙基準(zhǔn)電流源。

4.如權(quán)利要求1所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

所述第一MOS管、所述第二MOS管為NMOS管；所述第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七M(jìn)OS管為PMOS管。

5.如權(quán)利要求4所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

所述第二組電流鏡還包括第八MOS管，所述第八MOS管M8為與所述第六MOS管M6類(lèi)型相同的晶體管；所述第八MOS管的源極和所述第六MOS管的源極相連，所述第八MOS管的漏極和所述第六MOS管的漏極相連，所述第八MOS管的柵極接控制電壓。

6.如權(quán)利要求5所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

所述第八MOS管為PMOS開(kāi)關(guān)管。

7.如權(quán)利要求5所述壓控振蕩器的偏置電路，其特征在于：

偏置電路還包括一控制電路；所述控制電路用于產(chǎn)生所述控制電壓；

所述控制電路包括第九MOS管、第十MOS管、第一電阻、第二電阻和一遲滯電壓比較器；

所述第九MOS管和所述第十MOS管為具有相同尺寸的PMOS管，所述第一電阻和所述第二電阻的電阻值相同；所述第九MOS管的源極和所述第十MOS管的源極都接電源電壓，所述第九MOS管的漏極、所述第一電阻的一端接所述遲滯電壓比較器的反相輸入端，所述第十MOS管的漏極、所述第二電阻的一端接所述遲滯電壓比較器的同相輸入端，所述第九MOS管的柵極接所述第六MOS管的源極，所述第十MOS管的柵極接所述第六MOS管的漏極，所述第一電阻的另一端和所述第二電阻的另一端接地，遲滯電壓比較器的輸出端輸出所述控制電壓。